南京邮电大学微电子导论期末复习.pptVIP

第一章重点与难点小结微电子学的概念和特点、集成电路的概念和作用、半导体、微电子和集成电路的关系。微电子技术的战略地位、发展动力和对传统产业的渗透与带动作用。微电子技术的历史：摩尔定律、第一台通用电子计算机、第一个晶体管、第一块集成电路、第一台微处理器、我国第一款商品化通用高性能CPU。微电子技术的现状与挑战：微电子产业链及其特点、微电子产业面临的挑战。我国的微电子产业：历史、产业化基地、产业分布、紧缺人才。

第二章重点与难点小结半导体材料的分类、硅的晶体结构能带理论的三个假设、能带、满带、空带、价带、导带、禁带、带隙（禁带宽度）等的概念电子的跃迁、固体的导电模型、本征半导体与杂质半导体、施主、受主、杂质能级电子和空穴、本征载流子浓度及其影响因素、多子和少子、电中性条件半导体中的载流子浓度计算、载流子的输运机制：扩散运动和漂移运动、影响扩散电流的因素、影响漂移电流的因素。迁移率的概念和影响因素载流子的复合

2-1,2-22-1用于推导能带论的基本假设有哪些？什么是能带论？用能带论的观点来区分金属、半导体和绝缘体。2-2载流子的主要输运模式是什么？影响载流子输运的因素有哪些？

电子科学与工程学院郭宇锋微电子器件基础2-3在室温下的单晶硅进行硼掺杂，硼的浓度为3×1015cm－3。试求半导体中多子和少子的浓度。若再掺入浓度为4.5×1015cm－3的磷，试确定此时硅的导电类型，并求出此时的多子和少子浓度。解：第一次掺杂：半导体为P型多子为空穴：少子为电子：第二次掺杂：半导体由P型变为N型。多子为电子：少子为空穴：2-3

第三章重点与难点小结PN结形成的微观过程、空间电荷区、PN结的能带、PN结的正向偏置与反向偏置、雪崩击穿的物理过程、PN结的IV特性和应用双极晶体管的结构、共发射极接法、电流增益和电流传输率、晶体管特性曲线及其分区。双极晶体管的应用和特点。?MOS场效应晶体管的基本结构和分类、阈值电压的概念和影响因素、NMOSFET工作机理、I-V特性曲线及其分区、MOSFET的应用和特点。

3-1一个硅PN结的掺杂浓度为NA＝3×1015cm-3,ND=5×1015cm-3，（1）若平衡时P型硅一侧的耗尽区宽度为0.9μm，求此时总的耗尽区宽度。（2）若给此PN结施加偏压后，总耗尽区宽度变为1.6μm，求P侧和N侧的耗尽区宽度，并判断此时PN结处于正偏还是反偏。解：（1）由得：故：（2）由题意：两式联立，解得：因耗尽区变宽，故PN结处于反偏状态。XNXPNANDXN3-1

3-23-2一个硅PN结二极管，室温（300K）下饱和电流为1.48×10-13A，正向电流已知为0.442A，求此时的正向电压。解：由得：

3-33-3定义通过基区流入集电结的电流和发射极注入电流之比为电流传输率α，证明：证明：

3-43-4共发射极接法晶体管中，基极电流Ib＝20μA，电流传输率α＝0.996，试求此时的发射极电流Ie。解：

3-53-5试证明在NMOS工作在深线性区时（VDSVGS-VT），ID和VDS近似满足如下关系：证明：

3-6源极P+NP+栅极漏极VTVGS0VDS0IDSVDSID3-6试分析PMOSFET的工作机理。(1)VTVGS0,VDS0:漏结耗尽区扩展，使得栅极下方耗尽区宽度从源到漏逐渐增加，晶体管截止，IDS＝0。

3-6源极P+NP+栅极漏极VTVGS0VsatVDS0IDSVDSID3-6试分析PMOSFET的工作机理。(2)VGSVT0,VsatVDS0:栅极下方耗尽区宽度从源到漏逐渐增加，而反型层宽度从源到漏逐渐减小，ID随VDS减小而线性增加。

3-6源极P+NP+栅极漏极VTVGS0VDS=Vsat0IDSVDSIDVsat=VGS-VTIsat3-6试分析PMOSFET的工作机理。(3)VGSVT0,VDS=Vsat0:漏结边缘反型层宽度减小到零，ID达到最大值。

上一专题习题答案源极P+NP+栅极漏极VGSVT0VDSVsat0IDSVDSIDVsat=VGS-VTIsat3-6试分析PMOSFET的工作机理。(4)VGSVT0,VDSVsat0:沟道被夹断，随着VDS的减小有效沟道长度减小，ID饱和。

P－MOSFET与N－MOSFETIDVDS饱和区VGS2VGS3VGS4VGS5截止区VGS10VGSVT线性区线性区VDSID饱和区VGS2VGS3VGS4VGS5截止区V