基于半导体表面态吸收效应的光电探测器研究.pdfVIP

摘要

作为一种光电传感器，光电探测器目前已经被广泛应用在包括通信、成像、

定位、遥感、无人驾驶等诸多领域中。对于大多数半导体光电探测器来说，它们

始终面临的一个问题是由半导体带隙所决定的长波限对于探测波段的限制。随着

对半导体光电探测器研究的进一步深入，研究者已经使用多种亚带隙吸收机制拓

展长波限，其中就包括了基于半导体表面态吸收效应的光电探测器（Surface-State

AbsorptionPhotodetectors，SSAPDs）。表面状态吸收效应存在于半导体材料之间

的界面上，例如硅波导和其他材料之间的界面。SSAPDs主要的特点就在于，一

方面，由于表面态吸收效应，SSAPDs可以突破材料本身的长波限；另一方面，

由于表面态的密度相对较低，对于光信号的吸收非常微弱，它们对被探测的光是

“透明”的。

为了解释SSAPDs的电学特性并进行针对性优化，本论文在对SSAPDs进行

介绍的基础上，给出了两种类型的SSAPD的电路模型并对其进行了模拟。

为了研究在不同温度下SSAPDs的工作状态，本论文控制两种SSAPDs在

25-50摄氏度之间并测试其光电特性。其中，波导集成的SSAPDs对温度的变化

不太敏感，而自由空间耦合的SSAPDs受温度影响较大，光响应系数从7.4nS/mW

变化到了19.5nS/mW。此外，进一步提出了利用波导型SSAPDs进行局部光温

度同时监控的设想并进行了实验演示。

为了解决SSAPD阵列的读出问题，我们提出了一种使用时分复用方案的读

出方法，并设计和制作了相应的读出电路。利用此阵列读出电路我们对集成了光

开关阵列与波导型SSAPD阵列的光子芯片进行了测试，验证了SSAPDs在光芯

片中进行原位光功率监测的功能。

关键词：表面态吸收光电探测器，波导集成，变温特性，阵列读出

ABSTRACT

Asatypeofoptoelectronicsensors,photodetectorshavewidelybeenusedinmany

fieldsincludingcommunication,imaging,positioning,remotesensing,andunmanned

vehicles.Formostsemiconductorphotodetectors,oneoftheproblemstheyalwaysface

istheso-calledlong-wavelengthlimit,setbythesemiconductorbandgap.Withfurther

researchonsemiconductorphotodetectors,researchershaveusedvarioussub-bandgap

absorptionmechanismstoextendthelong-wavelengthlimit,includingsurface-stateab-

sorptionphotodetectors(SSAPDs)basedonthesemiconductorsurface-stateabsorption

effect.Thesurface-stateabsorptioneffectispresentattheinterfacesbetweensemicon-

ductormaterials,suchastheinterfacesbetweenthesiliconwaveguidesandotherma-

terials.ThemainfeatureofSSAPDsisthat,ontheonehand,SSAPDscanbreakthe

long-wavelimitofthematerialitselfduetothesurfacestateabsorptioneffect;onthe

otherhand,theyaretransparenttotheto-be-detectedlightbecausethedensityofthe

surfacestatesisrelativelylowandt