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模拟电子技术重点题型汇总与解析

模拟电子技术，这门课程对于许多理工科学生而言，往往是一块难啃的骨头。它不仅要求扎实的理论基础，更需要清晰的分析思路和灵活的解题技巧。在我看来，掌握重点题型的解法，是学好这门课的关键一步。本文将结合我多年的教学与实践经验，对模拟电子技术中的重点题型进行梳理与解析，希望能为各位同学提供一些有益的参考。

一、半导体器件与基本放大电路分析

半导体器件是构成各种模拟电路的基石，而基本放大电路则是模拟电子技术的核心内容。对这部分的考查，往往集中在器件特性的理解和电路性能参数的计算上。

（一）二极管电路的分析与计算

题型特点：这类题目通常给定一个包含二极管的电路，可能是整流、限幅、钳位或开关电路，要求分析二极管的工作状态（导通或截止），并计算特定节点的电压或支路电流。

解题要点：

1.判断二极管状态：这是解题的第一步，也是关键。常用的方法有“假设法”。假设二极管导通，此时硅管正向压降约为0.7V（锗管约为0.3V，具体题目会给出或暗示），然后根据电路定律分析其两端的实际电压是否符合导通条件；若假设截止，则二极管两端电压应小于其导通压降。

2.等效电路替换：确定状态后，导通的二极管可用恒压源（理想情况可视为短路）等效，截止的二极管则视为开路。

3.电路求解：利用线性电路的分析方法（如欧姆定律、基尔霍夫定律、戴维南定理等）求解未知量。

典型例题与解析：

（此处假设有一个包含二极管、电阻和直流电源的串联电路，求二极管两端电压和回路电流）

例题：在一个简单的硅二极管串联电路中，电源电压为5V，串联电阻为1kΩ。试判断二极管工作状态，并计算流过二极管的电流。

解析：首先，假设硅二极管导通，其正向压降约为0.7V。那么，电阻两端的电压即为5V-0.7V=4.3V。根据欧姆定律，流过电阻的电流I=4.3V/1kΩ=4.3mA。此电流方向与二极管导通方向一致，假设成立。因此，二极管处于导通状态，流过的电流约为4.3mA。

（二）三极管放大电路的静态与动态分析

题型特点：给定三极管放大电路的组态（共射、共集、共基，以共射最为常见）及元件参数，要求计算静态工作点（IBQ,ICQ,UCEQ），以及动态性能指标（电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro）。

解题要点：

1.静态分析（直流通路）：

*画出直流通路：电容视为开路，电感视为短路（直流时）。

*确定放大电路的偏置方式（如固定偏置、分压式偏置等）。分压式偏置电路需要先计算基极静态电位UBQ，再求IBQ、ICQ（ICQ≈βIBQ）、UCEQ。

*注意：三极管的导通条件是发射结正偏，集电结反偏。

2.动态分析（交流通路与微变等效电路）：

*画出交流通路：耦合电容、旁路电容视为短路，直流电源视为短路（内阻为零）。

*画出三极管的微变等效电路：将三极管用其低频小信号模型（如h参数模型，简化模型中常用βib和rbe）替代。

*计算动态参数：根据微变等效电路，利用电路理论计算Au、Ri、Ro。注意不同组态下的信号输入输出回路，特别是共集电极电路（射极跟随器）的电压放大倍数约为1，输入电阻高，输出电阻低的特点。

*rbe的计算：rbe=rbb+(1+β)*26mV/IEQ(mV)，其中rbb通常取100-300Ω，IEQ≈ICQ(mA)。

典型例题与解析：

（此处假设有一个分压式偏置共射放大电路）

例题：某分压式偏置共射放大电路，已知VCC=12V，RB1=30kΩ，RB2=10kΩ，RC=3kΩ，RE=2kΩ，RL=3kΩ，三极管β=50，rbb=200Ω，设RE两端并联有足够大的旁路电容CE。试求：(1)静态工作点IBQ,ICQ,UCEQ；(2)电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro。

解析：(1)静态工作点计算：

UBQ≈VCC*RB2/(RB1+RB2)=12V*10kΩ/(30kΩ+10kΩ)=3V。

IEQ≈(UBQ-UBEQ)/RE=(3V-0.7V)/2kΩ=1.15mA。

IBQ=IEQ/(1+β)≈1.15mA/51≈22.5μA。

ICQ≈βIBQ=50*22.5μA≈1.125mA。

UCEQ=VCC-ICQ(RC+RE)=12V-1.125mA*(3kΩ+2kΩ)=12V-5.625V=6.375V。

(2)动态参数计算：

rbe=rbb+(1+β)*26mV/IEQ=200Ω+51*26mV/1.15mA≈200Ω+1160Ω=1360Ω≈1.3