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硅片氧沉淀特性测试间隙氧含量减少法标准修订研究报告

EnglishTitle:ResearchReportonStandardRevisionofTestMethodforOxygenPrecipitationCharacteristicsinSiliconWafersbyInterstitialOxygenReduction

摘要

本报告针对《硅片氧沉淀特性的测试间隙氧含量减少法》标准修订项目开展深入研究。硅片作为半导体产业的基础材料，已渗透到国民经济和国防科技的各个领域，当今电子通信半导体市场中95%以上的半导体器件及99%以上的集成电路都需要使用单晶硅片。氧含量是表征直拉单晶硅性能的重要技术参数，其含量大小直接影响半导体器件的性能和成品率。研究表明，器件工艺的热循环过程会使间隙氧发生沉淀现象，沉淀的氧具有吸附杂质的能力，能在硅片表面形成洁净层，从而提高器件性能和成品率。本次标准修订主要基于原标准GB/T19444-2004所引用的基础标准已更新，且原标准中的技术内容已不能满足当前行业测试需求。修订工作包括更改标准适用范围、增加干扰因素、完善测量结果计算等内容，旨在实现与国际标准接轨，同时确保标准的先进性和实用性。本研究为硅单晶生产和硅器件制造提供了重要的技术指导，对促进半导体产业高质量发展具有重要意义。

关键词：硅片氧沉淀；间隙氧含量；标准修订；半导体材料；测试方法；红外吸收测量；直拉单晶硅

Keywords:SiliconOxygenPrecipitation;InterstitialOxygenContent;StandardRevision;SemiconductorMaterials;TestMethods;InfraredAbsorptionMeasurement;CzochralskiSilicon

正文

1研究背景与意义

硅材料作为半导体产业的核心基础材料，已深度渗透到国民经济和国防科技的各个领域。据统计，当今电子通信半导体市场中95%以上的半导体器件及99%以上的集成电路都需要使用单晶硅片作为衬底材料。在这一背景下，硅片质量的标准化检测显得尤为重要。

氧含量是表征直拉单晶硅性能的关键技术参数，其含量大小直接影响半导体器件的性能和成品率。研究表明，在器件工艺的热循环过程中，间隙氧会发生沉淀现象，这些沉淀的氧具有吸附杂质的能力，能够在硅片表面形成洁净层，从而显著提高器件的性能和成品率。相反，如果这些污染杂质（特别是金属杂质）不被有效清除，将会严重降低器件的制造良率和性能。

值得注意的是，氧的沉淀特性与初始氧含量密切相关。因此，通过热循环模拟实验获得硅片的氧沉淀特性数据，对硅单晶生产和硅器件的制造具有重要的指导作用。原标准GB/T19444-2004所对应的国际标准ASTMMF1239:1994已被替代，且其引用的基础标准GB/T14143-1993已被GB/T1557-2018《硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》取代。这些变化使得对原标准进行修订成为必然选择。

2标准修订的必要性

随着半导体技术的快速发展，原标准GB/T19444-2004在适用范围、干扰因素、仪器设备、样品前处理及精密度等方面的规定已不能满足行业测试需求。特别是在以下几个方面表现出明显不足：

首先，原标准引用的基础标准已更新，技术内容需要相应调整。GB/T1557-2018相比GB/T14143-1993在测量方法、仪器要求和精度控制等方面都有显著改进，需要与之协调一致。

其次，半导体制造工艺的发展对氧沉淀特性测试提出了更高要求。现代半导体器件特征尺寸不断缩小，对硅片质量的要求日益严格，需要更加精确和可靠的测试方法。

此外，国际标准已更新，为保证我国半导体产业的国际竞争力，需要及时跟进国际标准的最新发展，保持我国标准与国际标准的一致性。

3适用范围与技术内容

3.1适用范围

本标准适用于电阻率高于3Ω·cm的p型硅单晶片及电阻率高于1Ω·cm的n型硅单晶直拉硅单晶片。这些硅片的厚度、电阻率和表面光洁度应允许通过红外吸收方法准确测定氧浓度，且其氧浓度应能够产生可测量的氧损失。

3.2主要技术内容修订

本次标准修订主要包括以下技术内容：

a)更改标准适用范围：根据当前半导体产业发展情况和技术要求，重新界定标准的适用范围，确保其能够满足现代半导体制造的需求。

b)增加干扰因素：详细分析和规定测试过程中可能出现的各种干扰因素，包括环境因素、仪器因素、样品处理因素等，并提供相应的控制措施。

c)删除试剂与气体的要求：根据实际测试需求和技术发展，删除不再适用的试剂与气体要求，简化测试流程。

d)增加试验条件：明确和规范测试所需的具体