半导体器件 第5-10部分：光电子器件 发光二极管 基于室温参考的内部量子效率的测试方法 发展报告.docxVIP

半导体器件第5-10部分：光电子器件发光二极管基于室温参考的内部量子效率的测试方法发展报告

EnglishTitle:SemiconductorDevices–Part5-10:OptoelectronicDevices–LightEmittingDiodes–TestMethodforInternalQuantumEfficiencyBasedonRoomTemperatureReference

摘要

随着半导体照明技术的快速发展，发光二极管（LED）作为核心光电器件，其性能参数的准确测量与标准化已成为行业关注的重点。目前，国内尚无针对无荧光粉LED芯片或封装的内部量子效率（IQE）测量的统一标准，导致企业在研发、生产与质量控制过程中存在方法不统一、数据可比性差等问题。本报告旨在阐述《半导体器件第5-10部分：光电子器件发光二极管基于室温参考的内部量子效率的测试方法》国家标准的立项背景、目的意义、适用范围及主要技术内容。该标准提出了基于室温参考法（RTRM）的IQE测量方法，通过科学确定电子注入效率及辐射效率，实现IQE的准确量化。该标准的制定将填补国内空白，推动与国际标准接轨，提升我国LED产业的技术水平和国际竞争力。

关键词：发光二极管；内部量子效率；室温参考法；光电子器件；测试标准；半导体照明；标准化

Keywords:LightEmittingDiode;InternalQuantumEfficiency;RoomTemperatureReferenceMethod;OptoelectronicDevices;TestStandard;SemiconductorLighting;Standardization

正文

一、立项背景与目的意义

1.1立项背景

近年来，全球半导体照明产业迅猛发展，LED作为绿色照明的重要组成部分，其性能参数的标准化测量成为行业亟需解决的问题。内部量子效率（IQE）是评价LED光电转换性能的核心指标之一，直接影响器件的发光效率与可靠性。然而，目前国内尚未建立针对无荧光粉LED芯片或封装IQE测量的统一标准，导致不同厂商和实验室的测试结果缺乏可比性，阻碍了技术进步与产品质量提升。

国际上，如国际电工委员会（IEC）等组织已开始推动相关标准的制定。为与国际技术规范接轨，并响应《国家标准化发展纲要》中关于加强关键技术领域标准制定的号召，本项目提出制定无荧光粉LED的IQE测试方法国家标准。

1.2目的与意义

目的：

制定适用于无荧光粉LED芯片或封装的内部量子效率（IQE）测量方法国家标准，规范测试流程，提升测量结果的准确性与复现性。

意义：

-填补国内标准空白：目前国内尚无同类标准，本标准的制定将完善LED标准体系。

-提升产业技术水平：通过统一测量方法，帮助企业优化生产工艺，提高产品一致性。

-促进国际对标：推动我国标准与国际标准（如IEC标准）接轨，增强中国LED产品的国际竞争力。

-减少重复制标：避免不同机构或企业在标准制定过程中的资源浪费，提升行业效率。

据行业数据预测，到2025年，中国半导体照明市场规模将突破万亿元，标准的统一与完善将对行业产生显著的经济与社会效益。

二、范围与主要技术内容

2.1范围

本标准规定了无荧光粉的单体发光二极管（LED）芯片或封装的内部量子效率（IQE）测量方法，重点明确了基于室温参考法（RTRM）的技术实现路径。本标准适用于无荧光粉LED芯片或封装，主要用于单色光LED的性能评价。需要注意的是，用于照明应用的白光LED（通常含荧光粉）不在本标准适用范围内。此外，本标准仅在室温条件下测量相对外部量子效率（EQE）的前提下适用。

2.2主要技术内容

本标准提出的室温参考法（RTRM）是一种通过相对测量推演IQE的先进方法，其主要技术步骤包括：

1.确定电子注入效率为100%的工作电流点：

在特定电流条件下，电子注入效率可达到理想状态，该点作为IQE计算的参考基准。

2.测量相对外部量子效率（EQE）：

通过光谱分析及光功率测试，获取LED在不同电流下的EQE数据。

3.计算辐射效率与IQE：

在参考电流点处，通过EQE的无穷小变化确定辐射效率，进而推导出该点的IQE值。IQE作为电流的函数，可根据实际工作条件下的EQE与参考点EQE的相对比率进行计算，公式表达为：

\[

\text{IQE}(I)=\frac{\text{EQE}(I)}{\text{EQE}(I_{\text{ref}})}\times\text{IQE}(I_{\text{ref}})

\]

其中，\(I_{\text{ref}}\)为参考电流点。