探索GaSb基金属半导体接触势垒调制技术：原理、方法与应用.docx

探索GaSb基金属半导体接触势垒调制技术：原理、方法与应用

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的大家族中，GaSb作为III-V族化合物半导体的一员，凭借其独特的物理性质，在光电子领域占据着举足轻重的地位。从晶体结构上看，GaSb属于面心立方晶系的闪锌矿结构，晶格常数为6.0959?，这种结构赋予了它较高的物理和化学稳定性。在电子性质方面，其电子迁移率高达5000cm2/V?s，空穴迁移率也有1000cm2/V?s，这使得GaSb能够支持高速电子传输，是制造高速电子器件的理想材料。并且，GaSb具有较窄的直接带隙，在300K时为0.69eV