GaN基高功率微波器件高效场路协同分析方法.pdfVIP

物

理

学

报

Acta

Phys.

Sin.

Vol.

72,

No.

14

(2023)

147101

GaN基高功率微波器件高效场路协同分析方法*

1)1)1)1)

张天成

陈迪娜

李春雨

张利民

2)2)1)†1)

徐祖银

成爱强

包华广

丁大志

1)

(南京理工大学微电子学院(集成电路学院),

南京210094)

2)

(南京电子器件研究所,

南京210094)

(2023

年3

月26日收到;

2023

年5

月4日收到修改稿)

以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体正促使着固态微波功率器件向着更高功率、更高效率、集成化

的方向不断发展,

但这会导致器件内部电磁场分布效应更为显著,

单一的路仿真已无法满足分析设计的精度

需求,

亟需建立有源GaN器件与无源电磁结构的一体化协同仿真技术.

针对这一需求,

本文提出基于时域不

连续伽辽金技术的GaN基高功率微波器件高效场路协同仿真方法,

将所提取的GaN

HEMT

(high

electron

mobility

transistor)器件大信号紧凑模型引入电磁场方程中,

采用局部时间步进技术以消除非线性紧凑模型

及多尺度网格对全局算法稳定性条件的限制,

实现有源器件-无源电磁结构、多尺度粗细网格的高效自适应

求解.

通过数值仿真算例与实验测试及软件计算结果对比展示了本文所提方法准确性和高效性,

可为先进大

功率微波器件的高可靠研发提供理论基础与设计参考.

关键词：GaN功率器件,

大信号等效拓扑模型,

场路协同仿真技术,

时域不连续伽辽金方法

PACS：71.15.–m,

71.55.Eq,

84.30.Le,

85.30.DeDOI:10.7498/aps.72

结构的一体化协同分析模型,

以解决GaN大功率

1

引言微波器件分析设计精度低的问题.

目前,

国内外专家学者对GaN大功率微波器

为满足无线通信、新能源汽车、先进雷达、航[3−6]

件的建模技术开展了一系列研究,

重点围绕建

空航天等对射频功率器件在高频率、宽带宽、大功立准确的紧凑模型以获取GaN

HEMT

(high

elec-

率和高效率应用场景的需求,

以氮化镓(GaN)为tron

mobility

transistor)的电学性能,

其中基于

代表的新型宽禁带半导体材料制备的射频功率器[7]

Angelov等所提出的大信号等效电路模型是目