p型透明氧化物CuCrO₂薄膜：制备工艺、性能调控与应用前景的深度探究.docx

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2025-09-16 发布于上海
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p型透明氧化物CuCrO?薄膜：制备工艺、性能调控与应用前景的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代光电子技术的飞速发展，透明氧化物半导体作为一类重要的功能材料，因其在可见光区域具有良好的透过率与导电性，在平面显示、太阳能电池、触摸屏、特殊功能窗口涂层及其它光电子器件领域展现出巨大的应用潜力，如掺Sn的In?O?（ITO）、掺F的SnO?（FTO）、掺Al的ZnO（ZAO）等已被广泛应用。然而，目前大多数透明氧化物半导体为n型电子导电材料，p型空穴导电透明氧化物半导体材料却极为稀缺。并且，p型透明氧化物半导体的导电性与n型相比，通常低3-4