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《半导体级超纯高浓度臭氧发生装置》编制说明
一、工作简况
1、任务来源
随着我国半导体产业向高端化、精细化方向快速发展，芯片制程不断突破，对关键辅助设备的性能要求愈发严苛。半导体级超纯高浓度臭氧发生装置作为芯片制造中清洗、光刻、掺杂等核心工艺的关键设备，其臭氧纯度、浓度稳定性及运行可靠性直接影响芯片良率与制程安全性。?
当前，国内市场上该类装置产品质量参差不齐，部分企业生产的装置存在杂质含量超标、浓度波动大、适配性差等问题，且行业内缺乏统一的技术标准与质量规范，导致下游半导体企业采购时难以精准判定产品合规性，既增加了供应链风险，也制约了国产装置的技术升级与市场推广。同时，国际先进标准对技术细节
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