集成电路工艺第一章硅集成电路衬底加工技术.ppt

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腐蚀工序目的:去除表面因加工应力而形成的损伤层及污染(损伤层和污染部分约15um)化学腐蚀种类:酸性腐蚀及碱性腐蚀腐蚀方式:喷淋(spray)及浸泡(batch)酸性腐蚀酸性腐蚀原理及加工条件:腐蚀液-由不同比例的硝酸、氢氟酸及缓冲酸液等组成。硝酸为氧化剂,氢氟酸为络合剂。HF:HNO3约0.05~0.25,腐蚀温度18~24℃,以减少金属扩散进入晶片表面的可能性。氧化:Si+2HNO3----SiO2+2HNO22HNO2------NO+NO2+H2O络合SiO2+6HF-----H2SiF6(可

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