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电感元件设计规范要点

电感元件设计规范要点

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电感元件设计规范要点

TOC\o1-3\h\z1 电磁学基本概念与公式 2

1.1 基本概念 2

1.2 基本公式 2

2 磁元件的基本特性 3

2.1 磁滞效应（HysteresisEffect）： 3

2.2 霍尔效应（HallEffect）： 3

2.3 临近效应（ProximityEffect） 3

2.4 磁材料的饱和 4

2.5 磁芯损耗 4

3 电感磁芯的分类与特点 5

3.1 磁芯材料的分类与其特点 5

3.1.1 铁氧体（Ferrite） 5

3.1.2 硅钢片（SiliconSteel） 6

3.1.3 铁镍合金（又称坡莫合金或MPP） 6

3.1.4 铁粉芯（IronPowder） 6

3.1.5 铁硅铝粉芯（又称Sendust或KoolMu） 6

3.2 磁芯的外形分类： 6

3.3 电感的结构组成 7

3.3.1 环型电感 7

3.3.2 EE型电感/变压器 8

3.4 电感的主要类型： 8

3.5 电感磁芯主要参数说明 9

4 电感在UPS中的应用 9

5 电感设计的原则 12

5.1 原则一：电感不饱和（感值下降不超出合理范围） 12

5.2 原则二：电感损耗导致的温升在允许的范围内（考虑使用寿命） 15

5.3 原则三：电感的工艺要求可以达成 17

6 电感设计规范表 18

目的

磁性元件的设计是开关电源设计中的重点和难点，究其原因是磁性元件属非标准件，其设计时需考虑的设计参数众多，工艺问题也较为突出，分布参数复杂。为帮助硬件工程师尽快了解磁性元件，优化设计并减少设计中的错误，特制定此规范。

电磁学基本概念与公式

基本概念

1）磁通：穿过磁路的磁力线的总数，以Ф表示，单位韦伯（Wb）。

2）磁通密度（磁感应强度）：垂直于磁力线的方向上单位面积的磁通量，以B表示，单位高斯（Gauss）或特斯拉（T），1T=104Gauss。

3）磁场强度：单位磁极在磁场中的磁力，以H表示，单位安[培]每米（A/m）或奥斯特（Oe），1Oe=103/4πA/m。

4）磁导率：磁通密度与磁场强度之比，以μ表示，实际使用中通常指相对于真空的磁导率，真空中的磁导率μ0=4π×10-7H/m。

5）磁体：磁导率远大于μ0的物质，如铁，镍，钴与其合金或氧化物等。

6）居里温度点：磁体在温度升高时，其磁导率下降，当温度高到某一点时，磁性基本消失，此温度称为居里温度点。

7）磁势：建立磁通所需之外力，以F表示。

8）自感：磁通变化率与电流变化率之比称自感，以L表示。

9）互感：由于A线圈电流变化而引起B线圈磁通变化的现象，B线圈的磁通变化率与A线圈的电流变化率之比称为A线圈对B线圈的互感，以M表示。

基本公式

图2.1环形铁心的铁窗面积与磁路长度示意图

图2.1环形铁心的铁窗面积与磁路长度示意图

法拉第电磁感应定律：

穿过闭合回路的磁通发生变化，回路中会产生感应电流。如果回路不闭合，无感应电流，但感应电动势依然存在，感应电动势的大小：

磁场中的磁体存储的能量为：

电学与磁学的对偶关系表：

R

R

磁阻

R

电阻

F＝ΦR

洛伦兹定律

ε＝IR

欧姆定律

H

磁场强度

E

电场强度

B

磁通密度

J

电流密度

μ

磁导率

γ

电阻率

Φ

磁通

I

电流

F

磁通势

ε

电动势

磁路

电路

表2.1磁滞曲线图

表2.1磁滞曲线图

磁元件的基本特性

磁滞效应（HysteresisEffect）：

磁化过程中，磁通密度B的变化较磁化力F的变化迟缓的现象称为磁滞。

图3.1磁滞曲线图

图3.1磁滞曲线图

霍尔效应（HallEffect）：

流过电流的导体穿过磁场时，在导体两端产生感应电势的现象，称为霍尔效应。

图3.2霍尔效应示意图

图3.2霍尔效应示意图

临近效应（ProximityEffect）

流过电流的导线会产生磁场，相邻的导线在相互的磁场（也可以是外加磁场）作用下会产生电流挤到导体一边的现象成为临近效应。相邻层的导线若电流方向相同，电流会往外侧挤，相邻层的导线若电流方向相反，电流会往外内侧挤，如下图所示。临近效应会导致导体的利用率下降，铜损增加（与趋肤效应类似）。

图3.3邻近效应示意图

图3.3邻近效应示意图

磁材料的饱和

随着磁性材料中的磁场强度增加，其磁通密度也增大，但当磁场强度大到一定程度时，其磁通不再增加(见图3.1磁滞回线的Bs)，这称为磁饱和。

磁芯损耗

磁芯损耗主要由磁