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高温快速热处理对直拉硅单晶杂质行为的影响研究:机制、规律与应用
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代半导体产业中,直拉硅单晶凭借其优异的电学性能、高纯度和良好的晶体结构,成为制造集成电路芯片最重要的基础性材料,全球90%以上的集成电路芯片都制作在硅单晶上,其质量的优劣直接决定了芯片的性能、可靠性和成品率。随着集成电路技术的迅猛发展,芯片特征尺寸不断缩小,对直拉硅单晶的质量和性能提出了更为严苛的要求,如需要达到无缺陷、低杂质、大尺寸等方面的标准。
在直拉硅单晶的生长过程中,不可避免地会引入各种杂质,如氧、碳、氮以及过渡金属杂质等。这些杂质的存在形式和含量对直拉硅单晶的性能产生着多方面的
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