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探索GaN高电子迁移率晶体管特性及其在功率放大器中的创新应用

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，对高性能电子器件的需求日益增长。在众多半导体器件中，GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借其卓越的特性，成为了现代电子领域的研究热点和关键器件，在5G通信、卫星通信、雷达等多个重要领域都发挥着不可替代的关键作用。

在5G通信时代，数据传输速率和网络容量的需求呈爆发式增长。5G基站需要处理高频段、大功率的信号，以实现高速、稳定的通信连接。GaNHEMT具有高电子迁移率、高饱和电子速度和高击穿电场强度等优异特性，能够在高频下提供高效的功率放大，满足5G基