片式多层陶瓷电容器的应用介绍.pptxVIP

片式多层陶瓷电容器

Multi-LayerCeramicChipCapacitor2005年9月8日——内部培训讲座

内容提要1.电容的基础知识2.电容的分类及特点3.MLCC的基础知识4.电容在电路中的作用5.MLCC的应用

概念：01能存储电荷的容器。01电容器基本模型是一种中间被电介质材料隔开的的双层导体电极所构成的单片器件。这种介质必须是纯绝缘材料。电容器常用的介质材料有空气、天然介质、合成材料。电容器所用陶瓷介质是以钛酸盐为主要成份。011.电容的基础知识

通交隔直1在充电或放电的过程中，两极板上的电荷有积累过程，或者说极板上的电压有建立过程，因此电容器上的电压不能突变22）电容器两个重要的特性

电容器的分类01陶瓷介质类（1、2、3类）02有机薄膜类（聚酯PET、聚丙烯PP、聚苯乙烯PS、聚碳酸酯PC、聚2,6萘乙烯酯PEN、聚苯硫醚PPS）03电解类：钽、铝电解液、有机半导体络合盐TCNQ、导电聚合物阴极聚吡咯（PPY）\聚噻吩（PTN）04其他类（云母、云母纸、空气）052.电容器的分类及特点

MLCC（1类）-微型化、高频化、超低损耗、低ESR、高稳定、高耐压、高绝缘、高可靠、无极性、低容值、低成本、耐高温MLCC（2类）-微型化、高比容、中高压、无极性、高可靠、耐高温、低ESR、低成本钽电解电容器-高容值、低绝缘、有极性、低耐压、高成本铝电解电容器-超高容值、漏电流大、有极性有机薄膜电容器-中容值、高耐压、低损耗、较稳定、无极性、高成本、耐高温性差2）各类电容器的特点

3.MLCC的基础知识MLCC的概念：MLCC(Multi-LayerCeramicChipCapacitor)片式多层陶瓷电容器的英文缩写

2）MLCC内部结构示意图

3）MLCC制造工艺流程

1类陶瓷介质——顺电体，线性温度系数，热稳定型或热补偿型2类陶瓷介质——铁电体，非线性温度特性，高比体积电容，小型化、微型化3类陶瓷介质——阻挡层或晶界层型陶瓷，单层型圆片电容器介质4）陶瓷介质电容器的分类

附1）1类瓷的标志代码（ANSI/EIA-198-E）(a)电容量温度系数有效位数（ppm/℃）0.00.30.80.91.01.52.23.34.77.5(b)(a)行有效数字母代码CBLAMPRSTU(c)对(a)行适用的倍数-1.0-10-100-1000-10000+1+10+100+1000+10000(d)(c)行倍数的数字代码0123456789(e)温度系数允许偏差±30±60±120±250±500±1000±2500(f)(e)行允许偏差字符代码GHJKLMN

1类陶瓷介质温度系数EIA代码(简码)温度系数及其允许偏差1C0G（NP0）0ppm/℃±30ppm/℃2R2G(N220)-220ppm/℃±30ppm/℃3U2J(N750)-750ppm/℃±120ppm/℃4T3K(N4700)-4700ppm/℃±250ppm/℃5M7G(P100)+100ppm/℃±30ppm/℃6

附2：2类瓷的标志代码（ANSI/EIA-198-E）(a)下限类别温度/℃(b)（a）行的字母代码(c)上限类别温度/℃(d)（c）行的数字代码(e)在整个温度范围内ΔC/C极大值%(a)（e）行的字母代码+10-30-55ZYX+45+65+85+105+125+150+2002456789±1.0±1.5±2.2±3.3±4.7±7.5±10.0±15.0±22.0+22/-33+22/-56+22/-82ABCDEFPRSTUV

2类陶瓷介质的温度特性X7R:ΔC/C±15%，(-55℃~125℃)X5R:ΔC/C±15%，(-55℃~85℃)Z5U:ΔC/C+22~-56%，(+10℃~+85℃)Y5V:ΔC/C+22~-82%，(-30℃~+85℃)

滤波01耦合02去耦03旁路04谐振05时间常数（定时）06自举升压电容07预加重08补偿09反馈104.电容在电路中的作用

21并接在电路正负极之间，把电路中无用的交流去掉，一般采用大容量电解电容，也有采用其他固定电容器的。（将整流后的单向脉动电流中的交流分量滤支，使单向脉动电流变成平滑的直流电流。）1.名词解释-滤波

实例：整流滤波电路（方框图）au1u2u1bD4D2D1D3RLuoSC+–全波整流电容滤波电路

退耦：并接于电路和正负极之间，可防止电路通过电源内阻形成的正反馈通路而引起的寄生振荡。（消除或减轻两个或两个以上电路间在某方面的相互影响的方法称为退耦。）02耦合：连接于信号源和信号处理电路或两级放大器之前，用以隔断直流电，让交流或脉动信号通过，使相邻的放