硅纳米线集成光波导耦合器的设计.docxVIP

硅纳米线集成光波导耦合器的设计

摘要

作为一种新型的光纤光栅解调方法，阵列波导光栅解调方法具有解调精度高、速度快等优点。在阵列波导光栅解调系统中，光耦合器能使传输中的光信号在特殊结构内发生耦合并且进行能量再分配。正是由于光耦合器的这种特性，在阵列波导光栅解调系统中，光耦合器具有不可替代的重要地位。本文对硅纳米线集成光波导耦合器的设计和制备进行了研究，基于光束传播法优化设计出了三种工作在中心波长为1550μm的2×2硅纳米线集成光波导耦合器，分别为：X型耦合器、CGC耦合器、2×2多模干涉耦合器。优化设计后的X型耦合器尺寸为10μm×300μm，仿真结果表明其附加损耗仅为0.73dB，不均匀性仅为0.2050dB；CGC耦合器尺寸为10μm×300μm，仿真结果表明其附加损耗仅为0.6dB，不均匀性仅为0.0363dB；2×2多模干涉耦合器尺寸仅为6μm×100μm，仿真结果表明其附加损耗仅为0.46dB，在TE偏振态下不均匀性仅为0.06dB，在1.49-1.59μm波长范围内耦合器。

一、引言

随着光通信技术和光子集成技术的飞速发展，对高性能、紧凑型光耦合器的需求日益增长。硅纳米线集成光波导耦合器因其在硅基光子集成平台上的独特优势，成为研究热点。这种耦合器能够高效地实现光信号在不同波导之间的传输与分配，对于提高光子集成电路的性能和集成度至关重要。在众多应用中，如阵列波导光栅解调系统，其高精度解调依赖于光耦合器对光信号的精确操控。因此，设计性能优良的硅纳米线集成光波导耦合器具有重要的理论意义和实际应用价值。

二、硅纳米线集成光波导耦合器原理

2.1基本光学原理

光在硅纳米线波导中传播遵循全内反射原理。硅纳米线的高折射率芯区与周围低折射率介质形成较大的折射率差，使得光能够在芯区内稳定传播。当两根或多根硅纳米线波导靠近时，由于消逝场的存在，光场会在波导间发生耦合。根据耦合模理论，这种耦合过程可以用一组耦合模方程来描述：

\begin{cases}\frac{dA_1}{dz}=-j\beta_1A_1-j\kappa_{12}A_2\\\frac{dA_2}{dz}=-j\beta_2A_2-j\kappa_{21}A_1\end{cases}

其中，A_1和A_2分别是两个波导中的光场振幅，\beta_1和\beta_2是波导的传播常数，\kappa_{12}和\kappa_{21}是耦合系数。在对称波导结构中，\beta_1=\beta_2，\kappa_{12}=\kappa_{21}。通过控制波导的间距、长度以及结构参数，可以调节耦合系数，从而实现特定的耦合效果。

2.2硅纳米线波导特性

硅纳米线波导具有独特的光学特性。其尺寸通常在几百纳米甚至更小，能够实现对光的强束缚，减小模式面积，提高光与物质的相互作用效率。与传统的硅基光波导相比，硅纳米线波导在弯曲损耗方面表现更优，能够实现更小半径的弯曲，有利于提高光子集成电路的集成度。此外，硅纳米线波导对光的传播模式有严格的限制，在特定尺寸下，可实现单模传输，减少模式间的串扰，保证光信号的高质量传输。

三、耦合器设计方法

3.1光束传播法（BPM）原理及应用

光束传播法是一种广泛应用于光波导器件设计的数值方法。它基于傍轴近似，将麦克斯韦方程组简化为一个抛物型方程，通过在传播方向上逐步求解该方程，模拟光在波导中的传播过程。在硅纳米线集成光波导耦合器设计中，BPM能够精确计算光场在耦合区域的分布和变化，为优化耦合器结构提供依据。其基本步骤如下：

对波导结构进行离散化处理，将其划分为一系列沿传播方向的薄片。

在每个薄片上，根据波导的折射率分布和边界条件，求解简化后的麦克斯韦方程，得到光场在该薄片上的分布。

将前一个薄片的光场分布作为下一个薄片的输入，逐步传播，直至模拟完整个波导结构。通过调整波导结构参数，如波导宽度、高度、耦合长度、波导间距等，利用BPM模拟不同结构下光场的传播情况，分析耦合效率、附加损耗、不均匀性等性能指标，从而找到最优的耦合器设计方案。

通过调整波导结构参数，如波导宽度、高度、耦合长度、波导间距等，利用BPM模拟不同结构下光场的传播情况，分析耦合效率、附加损耗、不均匀性等性能指标，从而找到最优的耦合器设计方案。

3.2结构参数优化策略

波导宽度和高度：波导的宽度和高度直接影响其模式特性和传播常数。较窄的波导宽度有利于实现单模传输，但同时也会增加传播损耗；较高的波导高度可以增强光场与硅材料的相互作用，但过大的高度可能导致模式不稳定。在设计中，需要根据工作波长和具体应用需求，通过数值模拟优化波导的宽度和高度，以平衡传输性能和损耗。

耦合长度：耦合长度决定了光场在波导间耦合的程度。根据耦合