探究反应烧结碳化硅陶瓷材料的高温氧化行为：影响因素与机制解析.docx

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2025-09-24 发布于上海
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探究反应烧结碳化硅陶瓷材料的高温氧化行为：影响因素与机制解析

一、引言

1.1研究背景与目的

在现代材料科学的快速发展进程中，碳化硅（SiC）陶瓷凭借其卓越的物理化学性能，在众多高性能材料中脱颖而出，成为材料研究领域的焦点之一，在现代工业中占据着关键地位。从其物理性能来看，碳化硅陶瓷拥有高达2700℃的熔点，这使其在高温环境下依然能够保持稳定的结构和性能，远优于许多传统材料。其热导率较高，约为100-200W/(m?K)，良好的热传导能力使得它在需要高效散热的场合表现出色，如在电子器件的散热部件中，能够快速将热量传递出去，保证设备的稳定运行。碳化硅陶瓷还具有较低的热膨胀系数，约为4×1