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多元路径下的石墨烯制备及其物性关联研究

一、引言

1.1研究背景与意义

自2004年英国曼彻斯特大学的安德烈?盖姆（AndreGeim）和康斯坦丁?诺沃肖洛夫（KonstantinNovoselov）成功地从石墨中剥离出石墨烯以来，这种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料，便凭借其独特的结构和优异的性能，在全球范围内引发了研究热潮，并迅速成为材料科学、物理学、化学等众多学科领域的焦点。

石墨烯的结构独特，是仅由一个碳原子厚度的二维晶体，这种原子级别的厚度赋予了它一系列前所未有的特性。从力学性能上看，石墨烯具有极高的强度，其杨氏模量约为1TPa，断裂强度达到130GPa，比钢铁还要强数百倍，同时还具备出色的柔韧性，能够在大幅度弯曲和变形下不发生破裂，这一特性使其在需要高强度和柔韧性的应用中极具潜力，如航空航天领域的轻质高强结构材料。在电学性能方面，石墨烯的载流子迁移率在室温下可达20,000cm2/(V?s)，远远超过传统半导体材料，且电导率高，可承受高电流密度，还表现出量子霍尔效应和自旋电子学特性，这使得它在高速电子器件、集成电路等领域展现出巨大的应用前景，有望推动电子设备向更小尺寸、更高性能发展。热学性能上，石墨烯的热导率在室温下可高达5,000W/(m?K)，是已知导热性能最好的材料之一，这使其成为解决微电子器件和高功率光电子器件散热问题的理想材料。此外，石墨烯对光的吸收仅为2.3%，却具有很高的光学透明度，在从紫外到远红外的宽光谱范围内都有良好的光吸收能力，在透明导电薄膜、光电探测器、光调制器等光电子器件中发挥着重要作用。

基于这些优异的性能，石墨烯在众多领域展现出了巨大的应用潜力。在电子信息领域，可用于制造高性能的晶体管、集成电路、传感器等，有望提升电子器件的运行速度、降低功耗并实现小型化；在能源领域，无论是锂离子电池中提高电池的充放电速度、容量和循环寿命，还是超级电容器中实现快速充放电和高能量密度，石墨烯都有着出色的表现；在航空航天领域，利用其高强度和低密度的特点，可制造飞行器的机翼、机身等结构部件，有效减轻飞行器重量，提高燃油效率和飞行性能；在生物医学领域，凭借高比表面积和良好的生物相容性，石墨烯可作为药物载体实现高效的药物传递和控制释放，其基生物传感器还能用于疾病早期诊断和健康监测。

然而，要充分实现石墨烯的应用价值，制备高质量、大规模且成本可控的石墨烯是关键前提。不同的制备方法会对石墨烯的质量、结构完整性、缺陷密度、层数以及尺寸等产生显著影响，进而决定其性能和应用范围。例如，微机械剥离法虽然能制备出高质量、几乎无缺陷的石墨烯，但产量极低，难以满足大规模应用的需求；化学气相沉积法（CVD）可制备大面积高质量的石墨烯薄膜，但设备昂贵、工艺复杂，制备过程中可能引入杂质；化学氧化还原法操作简便、成本较低，但会在石墨烯中引入较多缺陷，影响其电学和力学性能。因此，深入研究和优化石墨烯的制备方法，对于提高石墨烯的质量和性能、降低生产成本、推动其大规模应用具有至关重要的意义。

本研究致力于探索和比较几种常见的石墨烯制备方法，包括微机械剥离法、化学气相沉积法、化学氧化还原法等，详细分析各方法的制备原理、工艺过程、优缺点以及对石墨烯结构和性能的影响。同时，对制备得到的石墨烯进行全面的物性表征，涵盖电学、力学、热学和光学等性能。通过本研究，期望为石墨烯制备技术的发展提供有价值的参考，推动石墨烯在更多领域的实际应用，为相关产业的发展注入新的活力。

1.2研究现状

在石墨烯的制备方法方面，微机械剥离法作为最早成功制备出石墨烯的方法，虽能获取高质量、低缺陷的石墨烯，但产量极低，仅适用于基础研究中对高质量样品的需求，难以满足大规模工业化生产的要求，不过，目前研究主要集中在如何提高其自动化程度，以减少人工操作带来的不确定性和成本。

化学气相沉积法（CVD）是制备大面积高质量石墨烯薄膜的重要手段。近年来，研究人员不断优化CVD的工艺参数，如反应温度、气体流量、沉积时间等，以精确控制石墨烯的层数、质量和生长均匀性。例如，通过改进反应气体的种类和比例，能够减少杂质的引入，提高石墨烯的电学性能；采用精准的温度控制技术，可实现石墨烯在特定基底上的定向生长，为其在集成电路等领域的应用奠定基础。在2021年8月，韩国基础科学研究所（IBS）基于自制铜镍箔，在1000K和1030K温度下利用CVD法，在氩气流中使用乙烯与氢气的混合物生长石墨烯，获得了大面积、无褶皱、无吸附层的单晶石墨烯薄膜，这种均匀无褶皱的石墨烯可更快地携带电荷，比硅快七倍，比现有石墨烯快三倍，为制造半导体、显示器和太阳能电池产品等领域和行业的技术进步铺平道路。然而，CVD法仍存在设备昂贵、工艺复杂、生长过