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电子束诱生硅中位错的发光与结构特性解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体领域，硅材料凭借其独特的优势，占据着举足轻重的地位。从元素丰度来看，硅是地壳中含量第二丰富的元素，这使得大规模获取硅材料成本相对较低，为半导体产业的大规模发展提供了坚实的物质基础。在电学性能方面，硅具有适中的禁带宽度，约为1.12eV，这一特性使其在常温下能够保持良好的导电性，同时又可以通过精确的掺杂技术实现对其导电性的有效调控，从而满足不同半导体器件的需求。例如在集成电路中，通过在硅材料中精确控制杂质的种类和浓度，可以制造出性能各异的晶体管、二极管等器件，实现信号的放大、开关和逻辑运算等功能。

此外，硅