《GB_T 45718-2025半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验》专题研究报告.pptx

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《GB/T45718-2025半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验》专题研究报告

目录试验为何成为半导体可靠性核心?专家视角解析GB/T45718-2025的制定逻辑与行业价值试验原理藏着哪些关键?专家拆解TDDB物理机制及标准中的核心技术依据试验流程如何标准化操作?分步解读标准中的样品处理、条件设置与数据采集不同工艺节点如何适配?探索GB/T45718-2025在先进制程中的应用调整策略与国际标准有何差异?对比解读GB/T45718-2025的特色与国际兼容性标准适用边界在哪?深度剖析GB/T45718-2025覆盖的器件类型与试验场景试

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