《GB_T 45722-2025半导体器件 恒流电迁移试验》专题研究报告.pptx

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《GB/T45722-2025半导体器件恒流电迁移试验》专题研究报告

目录标准出台背景深度剖析:为何恒流电迁移试验成半导体可靠性核心?专家视角解读行业刚需与技术动因试验原理与理论基础:电流如何引发半导体失效?专家拆解电迁移物理机制与标准设计逻辑试样制备规范:合格的试验样品如何获取?直击标准中试样选取、处理与标识的关键流程试验结果评价与判定:怎样解读试验数据?专家视角教你运用标准指标判断器件可靠性等级与国际标准的差异与衔接:GB/T45722-2025如何适配全球技术体系?深度对比IEC标准的异同点术语与定义精解:恒流电迁移试验关键概念有哪些?权威梳理标准中的核心名词与边界界定试

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