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第五章非平衡载流子朱俊

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处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载

流子的浓度是一定的。平衡载流子

非简并条件下，半导体处于热平衡的判据式：

E

npNNexp(g)n2

00VCkTi

当对半导体施加外界作用时，出现与平衡态的偏

离，载流子浓度发生变化，可比no和po多出一部

分，即非平衡载流子。

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一、非平衡载流子的产生

1．光注入∆n

no

用波长比较短的光

光照

hEg

po

照射到半导体∆p

光照产生非平衡载流子

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2．电注入（PN结正向工作时）

3．非平衡载流子浓度的表示法

产生的非子一般都用n，p来表示。

n=n0+n

达到动态平衡后：

p=p0+p

，为热平衡时电子浓度和空穴浓度，

n0p0

n，p为非子浓度。

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对同块材料：

非平衡载流子浓度有：n=p

热平衡时2，非平衡时，＞2

n0·p0=nin·pni

n—非平衡多子

n型：

p—非平衡少子

p—非平衡多子

p型：

n—非平衡少子

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注意：

n，p—非平衡载流子的浓度

，热平衡载流子浓度

n0p0—

n，p—非平衡时导带电子浓度

和价带空穴浓度

4．大注入、小注入

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●注入的非平衡载流子浓度大于平衡时的多子浓

度，称为大注入。

型：，型：

nnn0ppp0

●注入的非平衡载流子浓度大于平衡时的少子浓

度，小于平衡时的多子浓度，称为小注入。

型：，或型：

np0nn0pn0np0

即使在小注入下，非平衡少数载流子还是可以

比平衡少数载流子的浓度大得多，它的影响就

显得很重要了，对多子而言，影响可以忽略。

所以，非子就是指非平衡少子。

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二、非平衡时的附加电导

电阻R比半

R导体的电阻

大得多，可

光半

照导以认为通过

体半导体的电

流基本不变

△V△σ

△或△的变化

pn光注入引起附加光电导

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热平衡时：0p0qpn0qn

非平衡时：

pqpnqn

(p0p)qp(n0n)qn

n0qnp0qpnq(np)

0

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nq(np)

——附加电导率

n型：

多子：nn0qnnqn

少子：

pp0qp