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硅烷法多晶硅制取工专项考核试卷及答案

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硅烷法多晶硅制取工专项考核试卷及答案

考生姓名：答题日期：判卷人：得分：

题型

单项选择题

多选题

填空题

判断题

主观题

案例题

得分

本次考核旨在检验学员对硅烷法多晶硅制取工艺的掌握程度，包括对设备操作、工艺流程、质量控制及安全管理的理解与运用。

一、单项选择题（本题共30小题，每小题0.5分，共15分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）

1.硅烷法多晶硅制备过程中，下列哪种气体作为还原剂？（）

A.氢气

B.碳氢化合物

C.氧气

D.氮气

2.硅烷法多晶硅制备中，硅烷气体在高温下分解的化学反应式为？（）

A.SiH4→Si+4H2

B.SiH4→Si+4HCl

C.SiH4+O2→SiO2+4H2

D.SiH4+H2→Si+4H2O

3.硅烷法多晶硅制备中，用于分解硅烷气体的催化剂是？（）

A.铂

B.铂/铝

C.铂/硅

D.铂/碳

4.硅烷法多晶硅制备过程中，反应温度通常控制在？（）

A.300-500℃

B.500-800℃

C.800-1000℃

D.1000-1200℃

5.硅烷法多晶硅制备中，下列哪种设备用于硅烷气的制备？（）

A.精馏塔

B.反应釜

C.水解反应器

D.气体发生器

6.硅烷法多晶硅制备过程中，硅烷气体中杂质含量应控制在？（）

A.10ppm以下

B.100ppm以下

C.1000ppm以下

D.10000ppm以下

7.硅烷法多晶硅制备中，用于收集硅的设备是？（）

A.冷凝器

B.滤饼

C.捕集器

D.气体收集瓶

8.硅烷法多晶硅制备过程中，反应产物中的硅含量通常为？（）

A.90%以上

B.95%以上

C.98%以上

D.99%以上

9.硅烷法多晶硅制备中，反应过程中使用的气体净化设备是？（）

A.活性炭过滤器

B.精馏塔

C.膜分离装置

D.气体发生器

10.硅烷法多晶硅制备过程中，硅烷气体储存压力通常为？（）

A.0.1-0.3MPa

B.0.3-0.5MPa

C.0.5-1.0MPa

D.1.0-1.5MPa

11.硅烷法多晶硅制备中，用于硅烷气体分解的炉型是？（）

A.塔式炉

B.气相炉

C.固相炉

D.液相炉

12.硅烷法多晶硅制备过程中，下列哪种物质不是硅烷分解的副产物？（）

A.氢气

B.硅烷

C.二氧化硅

D.氢氯酸

13.硅烷法多晶硅制备中，反应过程中产生的氢气通常采用什么方法排放？（）

A.直接排放

B.燃烧法

C.气体净化

D.精馏法

14.硅烷法多晶硅制备过程中，反应釜的操作温度控制精度要求？（）

A.±5℃

B.±10℃

C.±15℃

D.±20℃

15.硅烷法多晶硅制备中，用于硅烷气体储存的容器材质通常是？（）

A.不锈钢

B.玻璃

C.塑料

D.碳纤维

16.硅烷法多晶硅制备过程中，硅烷气体储存罐的容积通常为？（）

A.100m3

B.200m3

C.300m3

D.500m3

17.硅烷法多晶硅制备中，硅烷气体分解产生的氢氯酸如何处理？（）

A.直接排放

B.燃烧法

C.中和法

D.气体净化

18.硅烷法多晶硅制备过程中，硅烷气体分解产生的二氧化硅如何处理？（）

A.直接排放

B.燃烧法

C.回收利用

D.中和法

19.硅烷法多晶硅制备中，用于硅烷气体分解的催化剂在反应后如何处理？（）

A.直接排放

B.燃烧法

C.回收利用

D.中和法

20.硅烷法多晶硅制备过程中，反应釜内壁涂层的主要作用是？（）

A.防腐蚀

B.提高反应速率

C.降低能耗

D.提高产量

21.硅烷法多晶硅制备中，反应釜内壁涂层材料通常为？（）

A.聚四氟乙烯

B.玻璃

C.不锈钢

D.碳纤维

22.硅烷法多晶硅制备过程中，硅烷气体分解反应的化学平衡常数Kp通常是多少？（）

A.1

B.10

C.100

D.1000

23.硅烷法多晶硅制备中，反应过程中产生的热量如何处理？（）

A.直接排放

B.燃烧法

C.冷却水系统

D.热交换器

24.硅烷法多晶硅制备中，反应釜内壁涂层材料的使用寿命通常是多少？（）

A.1年

B.2年

C.3年

D.5年

25.硅烷法多晶硅制备中，反应釜的操作压力通