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1+X集成电路理论测试题及参考答案.docx

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    1+X集成电路理论测试题及参考答案

    一、单项选择题（每题2分，共30分）

    1.本征半导体中载流子的产生主要依赖于（）。

    A.掺杂浓度B.温度激发C.外部电场D.光照强度

    2.PN结正向偏置时，空间电荷区会（）。

    A.变宽B.变窄C.不变D.先宽后窄

    3.MOSFET的阈值电压主要由（）决定。

    A.栅极材料功函数B.源漏掺杂浓度C.衬底掺杂浓度D.沟道长度

    4.集成电路制造中，光刻工艺的关键步骤不包括（）。

    A.涂胶B.显影C.离子注入D.曝光

    5.CMOS反相器的输入高电平时，输出状态

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