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氧化锌纳米棒阵列：精准控制生长与光学性能深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体和光学器件作为现代信息技术的关键支撑，其性能的提升对于推动各个领域的进步具有至关重要的作用。氧化锌（ZnO）作为一种重要的宽禁带半导体材料，在室温下其禁带宽度达到3.37eV，激子束缚能高达60meV，凭借着禁带宽、激子束缚能高、无毒、原料易得以及成本低等一系列优良特性，在光电器件、透明导电薄膜、气敏传感器、表面声波器件等众多领域展现出了广阔的应用前景，吸引了科研人员的广泛关注。

近年来，氧化锌纳米棒阵列以其独特的结构和优异的性能，在半导体和光学器件领域中占据了愈发重要的地