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书名：模拟电子技术ISBN：7;本章首先简要介绍了半导体的基础;1.1半导体基础知识1.1;化学成分纯净、具有晶体结构的半;在获得一定能量(温度增高、受光;在外电场的作用下，半导体中将出;1.1.2杂质半导体;+5+4+4+4+4+4+4+;2P型半导体+3+4+4;阻碍多子扩散，产生少子漂移1.;PN结的单向导电性PN结正向偏;1.2.1二极管的结构和分;按结构分：点接触型、面接触型和;1.2.2二极管的伏安特性二;图中UBR称为反向击穿电压，当;最大反向工作电压UR反向电流I;1.2.4二极管的基本应用电;解:当E=0时限幅电平为0V。;1.2.5稳压二极管1;稳定电流是指使稳压管正常工作时;02由于稳压管两端的电压值为U;1.3晶体管1.3.1;晶体管的三种连接方式01因为放;3晶体管的电流放大作用(1;01电流分配集电极电流：IC;1.3.2晶体管的特性曲线1;2输出特性曲线当IB;1.3.3晶体管的主要参数晶;交流参数交流电流放大系数交流共;3极限参数（2）特征频率fT;（2）集电极最大允许电流ICM;输出特性曲线上的过损耗区、过流;在同一型号的管子中，应选反向电;由于晶体管工作在放大状态时，必;1.4.1场效应晶体管的分类;场效应晶体管的具体分类：;1.4.2结型场效应晶体管;2结型场效应晶体管的工作原;结型场效应晶体管的直流输入电阻;1N沟道增强型MOS管（1;对N沟道增强型的MOS管，当U;2N沟道耗尽型MOS管（1;夹断电压是耗尽型场效应晶体管的;02（4）直流输入电阻RGS(;rds反映了uDS对iD的影响;01场效应晶体管是一种电压控制
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