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第45卷第3期物理学进展Vol.45No.3

2025年6月PROGRESSINPHYSICSJun.2025

轴子绝缘体及其输运特性

1,21,21,2∗

李思晴，丁悦然，陈垂针

1.苏州大学物理与科学技术学院，苏州215006

2.苏州大学高等研究院，苏州215006

摘要：近年来，凝聚态物理学中的轴子绝缘体研究引起了广泛关注，因为它具有类似于高能物理

中假想基本粒子轴子的电磁响应，从而导致体系中出现半量子化的表面霍尔电导或拓扑磁电

效应性质。最近，在三维磁性拓扑绝缘体异质结和本征磁性拓扑绝缘体MnBiTe的输运实验中

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发现了轴子绝缘体存在的迹象，然而，精确测量轴子绝缘体的半量子化电磁响应仍具有挑战性。在

这篇综述中，我们回顾了磁性拓扑绝缘材料中轴子绝缘体研究的理论和实验进展。讨论了由于体

边对应关系导致的轴子绝缘体的半量子化棱电流激发，以及一种基于半磁性拓扑绝缘体的半量子

化霍尔电导的输运理论。最后，我们探讨了轴子绝缘体中的无序诱导相变，包括表面存在的二维

类量子霍尔电导平台相变的普适类，并提出了利用这种相变的普适特征来探测轴子绝缘体的方案。

关键词：轴子绝缘体；无序；半量子化；古斯–汉欣位移；拓扑磁电效应；量子输运

中图分类号：TN243文献标识码：ADOI:10.13725/ki.pip.2025.03.003

目录参考文献145

I.引言132

II.轴子绝缘体的研究进展133I.引言

III.轴子绝缘体中的半量子化棱电流134

A.模型哈密顿量和古斯–汉欣位移134拓扑物态的研究是当今凝聚态物理学的前沿问题，

B.半量子位移电流135

其不仅开辟了基础物理学的新领域，还在实现低功耗

C.半量子古斯–汉欣位移电流的拓扑起源136

D.可视化半量子化的棱电流分布136电子器件方面展现出潜在的应用价值。1980年，K.

E.半量子化螺旋棱电流的实验表征137vonKlitzing在实验中发现，二维电子系统在低温和强

F.讨论137磁场条件下的霍尔电阻出现了量子化平台，且纵向电阻

IV.半量子化霍尔电导的输运理论138在这些平台处降为零，这一现象被称为整数量子霍尔效

A.模型哈密顿量和退相干138应(integerquantumHalleffect,IQHE)[1]。IQHE起源

B.半量子化的手性通道和半量子化霍尔电导139

于电子在磁场下做圆形回旋运动，形成离散的朗道能级

C.与实验输运结果的比较141

D.结果和讨论