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基于第一性原理的钴掺杂氧化锌材料特性与机制研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学与技术领域，半导体材料始终占据着举足轻重的地位，其性能的优化与拓展对诸多关键领域的发展起着决定性作用。氧化锌（ZnO）作为一种典型的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体材料，室温下带隙宽度达3.37eV，激子结合能高达60meV，凭借着这些优异的本征特性，ZnO在众多领域展现出巨大的应用潜力。

在光电器件领域，ZnO的宽带隙特性使其在紫外光发射与探测方面表现出色，可用于制造高效的紫外发光二极管（UV-LED）和高灵敏度的紫外线探测器，满足如生物医学检测、环境监测等对紫外光精准应用的需求。在压敏器