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第二章元器件制造技术可靠性与;本章内容提要半导体集成电路芯片;发展里程碑芯片加工中的缺陷和成;010203041954年，B;0102031963，RCA制;历史回顾v摩尔定律1965年;集成电路现状300mm(12英;集成电路的基本工艺以圆形的硅片;双极型晶体管制作工艺(e)发射;硅片制备多晶硅生产、单晶生长、;硅片制备直拉法生长单晶拉晶时，;硅片制备切片-清洗单晶生长单晶;制膜膜的类型二氧化硅膜外延层;化学稳定性高、绝缘、对某些杂质;氧化层生长热氧化法干氧氧化：以;氧化层生长氧化层缺陷裂纹引起金;外延生长在单晶衬底上制备一层;Al及其合金：最常用的金属互连;图形转移-光刻图形转移：将集成;图形转移-光刻常规的光刻工艺过;图形转移-刻蚀分为干法刻蚀和湿;掺杂掺杂：在半导体加入少量特定;集成电路(Integrated;双极-MOS(BiMOS)集成;器件工艺双极型集成电路中等速度;集成电路中各元件之间需要进行电;双极型硅工艺v对二氧化硅薄层进;芯片加工中的缺陷和成品率预测 ;按照集成电路的结构形式可以将它;混合集成电路工艺混合集成电路P;混合集成电路工艺40年代中期出;TheEnd课堂作业;集成电路芯片的基本工艺有哪些？
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