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磁阻效应物理实验报告
磁阻效应
磁阻器件由于其灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器
仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车
辆检测、导航系统等。磁阻器件品种较多，可分为正常磁电阻，各向异
性磁电阻，特大磁电阻，巨磁电阻和隧道电阻等。其屮正常磁电阻的应
用十分普遍。铢化钢(InSb)传感器是-种价格低廉、灵敏度高的正常磁电
阻，有着十分重要的应用价值。它可用于制造在磁场微小变化时测量多
(
种物理量的传感器。本实验使用两种材料的传感器，碑化稼GaAs)测量
磁感应强度和研究铢化钢(InSb)在磁感应强度变化时的电阻，融合霍尔
效应和磁阻效应两种物料现彖。
实验目的
(1)了解磁阻现彖与霍尔效应的关系与区别；
(2)测量锐化钢传感器的电阻与磁感应强度的关系；
(3)作出铢化钢传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。实验仪
器
磁阻效应实验仪。
实验原理
在一定条件下，导电材料的电阻R随磁感应强度B的变化规律称为
磁阻效应。
当材料处于磁场屮时，导体或半导体内的载流子将受洛伦兹力的作
用发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场。如霍尔电场作用和
某一速度的载流子的洛伦兹力作用刚好抵消，那么大于或小于该速度的
磁阻效应物理实验报告
载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数目将减少，电
阻增大，表现横向电阻效应。
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磁阻效应物理实验报告
表示，其中0(0)表示零磁场是的电阻率，设磁电阻阻值在磁感应强度为
B屮的电阻率为0(3),则3=0(3)-0(0),由于磁阻传感器电阻的相对变化
率A/?//?(0)正比于S/°(0),这里AR=R(B)—R(0),因此也可以用磁阻传
感器电阻的相对变化量M/R(0)来表示磁阻效应的大小。
实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场屮时，一般磁阻传感器电
0)B
阻相对变化率朋//?(正比于磁感应强度的平方，而在强磁场屮
M/R(0)与磁感应强度B呈线性函数关系。磁阻传感器的上述特性在物
理学和电子学方面有着重要的应用。
如果半导体材料磁阻传感器处于角频率为。的弱正弦波交流磁场
屮，由于磁电阻相对变化量正比于的平方，那么磁阻传感器的
M/0)B
电阻将随角频率。作周期性变化。即在弱正弦波交流磁场中磁阻传
R2
感器具有交流电倍频性能。
若外界交流磁场的磁感应强度为
B
B=B°coscot
式屮，心为磁感应强度的振幅，。为角频率，｛为时间。设在弱
磁场屮，^R/R(0)=kB2
磁阻效应物理实验报告
k
式屮，为常量。假设电流恒定为人，由上式可得
=/?(0)+/?(0)
21⑼賦劲
=R(0)+coscot=R(Q)+-RWkB+-Rcos2
22
式中，R(0)+A(0)姑为不随时间变化的电阻值，而
悄;期为以角频率。作余弦变化的电阻值。因此，磁阻
9(0)COS22
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