金属氧化物半导体场效应管 (2).pptVIP

6.4.2界面陷阱和氧化物电荷的影响因此绝缘层中正电荷对平带电压的影响与它们的位置有关，离金属电极越近，对平带电压的影响越小。如果氧化层中正电荷连续分布，电荷体密度为，则*第61页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.4.2界面陷阱和氧化物电荷的影响总的平带电压其中称为有效面电荷。*第62页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.4.2界面陷阱和氧化物电荷的影响为了方便，将上述四种电荷统称为氧化层电荷，记为Q0。在多数情况下，在硅－氧化硅截面上由表面态引起的电荷占优势，取x=x0，则平带电压为*第63页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.4.3实际MOS阈值电压和C-V曲线综合考虑功函数差和氧化层电荷的影响，为实现平带条件所需的偏压即平带电压。阈值电压必须修正，改写为*第64页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.4.3实际MOS阈值电压和C-V曲线第一项是为消除半导体和金属的功函数差的影响，金属电极相对于半导体所需要加的外加电压；第二项是为了把绝缘层中正电荷发出的电力线全部吸引到金属电极一侧所需要加的外加电压；*第65页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.4.3实际MOS阈值电压和C-V曲线第三项是支撑出现强反型时的体电荷所需要的外加电压；第四项是开始出现强反型层时，半导体表面所需的表面势。*第66页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.4.3实际MOS阈值电压和C-V曲线外加偏压VG的一部分VFB用来使能带拉平，剩下的一部分VG-VFB起到理想MOS系统的VG作用。而VFB0，则C-V曲线应该向左移动。如图6-14所示。*第67页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.5MOS场效应晶体管6.5.1基本结构和工作过程基本结构描述：四端器件；氧化物上的金属电极称为栅极；源和漏的下方区域称为场区，栅下区域称为有源区。基本参数：沟道长度L；氧化层厚度x0；称的掺杂浓度Na。*第68页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.5.1基本结构和工作过程工作原理：以源极为电压参考点。只加电压VD，源到漏相当于两个背靠背的PN结，通过的电流是反向漏电流，很小。栅极加正电压VG，在半导体表面形成沟道，漏、源被沟道相连。沟道电导可以通过栅压控制。体电势：也会影响沟道电导。*第69页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.5.1基本结构和工作过程（1）线性区：形成反型，但漏电压很小沟道作用相当于电阻，漏电流和漏电压VD成正比。*第70页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.5.1基本结构和工作过程（2）开始饱和：漏电压增加，使靠近漏端的沟道宽度减小为0，称为沟道夹断。产生夹断的地方称为夹断点，夹断时的漏电压记为VDsat。*第71页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.5.1基本结构和工作过程*第72页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.5.1基本结构和工作过程（3）饱和：当VDVDsat时，夹断点左移，但夹断点的电压保持不变即沟道两端电压保持不变，因此漏电流也不变，主要变化是L缩短*第73页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.5.1基本结构和工作过程*第74页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.5.2静态特性将衬底和源接地。*第75页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.5.2静态特性（1）线性区沟道感应电荷漂移电子电流*第76页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.5.2静态特性漏电流方程（6-5-4）式称为萨支唐（C.T.Sah）方程。*第77页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.5.2静态特性考虑到沟道电压的作用将6-5-6代入6-4-12，再代入6-5-4，积分后得到6-5-7。一般采用简化的6-5-4表示漏电流。图6-17：6-5-4和6-5-7两种I/V特性的比较*第78页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.5.2静态特性（2）饱和区假设在L点发生夹断，则在L处有*第79页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.5.2静态特性把式（6-5-8）代入式（6-5-4）得上式只在开始饱和时有效。超过这一点，电流可看作常数。*第80页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.5.2静态特性*第81页，共119页，星期日，2025年，2月5日6.5.2静态特性（3）截止区没