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电子学场效应

学习目标与内容概览本课程目标理解场效应原理的物理基础掌握不同类型场效应管的结构与工作机制分析场效应管的基本应用电路熟悉实验测试方法与数据分析

什么是场效应管（FET）基本定义场效应管是一种利用电场控制电流的半导体器件，属于单极性器件，仅依靠多数载流子导电，具有高输入阻抗、低噪声等特点。三个基本电极

场效应原理基础电场控制原理场效应管利用半导体材料内的电场控制载流子的运动，从而调节通道电阻，实现对电流的控制。与传统的电流控制型三极管（BJT）不同，场效应管主要通过栅极电压产生的电场来控制导电通道的宽度或形成情况，实现对源漏极之间电流的调节。

FET基本分类结型场效应管（JFET）利用反向偏置的PN结控制通道宽度N沟道JFETP沟道JFET绝缘栅型场效应管（MOSFET）栅极与沟道之间有绝缘层，通过电场感应控制增强型MOSFET空乏型MOSFET其他特种FET基于特殊材料或结构的改进型JFET/MOSFET组合型

FET与BJT区别控制方式FET：电压控制型器件，通过栅极电压控制源漏极间电流BJT：电流控制型器件，通过基极电流控制集电极电流输入特性FET：极高输入阻抗（1010~1012Ω），栅极电流极小BJT：输入阻抗较低（103~104Ω），基极需提供一定电流工作特性FET：温度稳定性好，热噪声小，高频特性优良

结型场效应管（JFET）结构JFET基本结构N型通道：P型栅极，N型源漏区域，多数载流子为电子P型通道：N型栅极，P型源漏区域，多数载流子为空穴通道两侧的PN结在反向偏置时形成空间电荷区，控制通道宽度通道上下为高掺杂区域，降低欧姆接触电阻

JFET工作原理详解线性区（欧姆区）当栅源电压较小时，通道未被完全夹断，源漏电流随漏源电压增大而增大，JFET表现为电压控制的电阻。饱和区（恒流区）当漏源电压增大到一定值后，通道在漏极附近被夹断，此时源漏电流主要由栅源电压控制，几乎不受漏源电压影响。截止区

JFET伏安特性曲线输出特性曲线JFET的输出特性曲线反映了在不同栅源电压(VGS)条件下，漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)之间的关系。曲线的平坦部分表示饱和区，ID几乎不随VDS变化曲线的上升部分表示线性区，ID随VDS增大而增大不同VGS对应不同的特性曲线，VGS越负，ID越小

MOSFET结构与原理基本结构MOSFET由源极、漏极、栅极和衬底四个端子组成。栅极与半导体通道之间有一层二氧化硅(SiO?)绝缘层，形成金属-氧化物-半导体结构。沟道类型

MOSFET主要类型增强型MOSFET(E-MOS)源漏之间初始无导电通道需要栅极电压超过阈值电压才能形成反型层栅源电压为零时处于截止状态广泛应用于数字电路空乏型MOSFET(D-MOS)源漏之间有预制导电通道通过栅极电压调节通道宽度栅源电压为零时处于导通状态常用于模拟开关和放大电路

MOSFET工作区截止区增强型：VGSVTH，无导电通道空乏型：VGSVGS(off)，通道完全夹断此时ID≈0，器件处于关断状态线性区（三极管区）VGSVTH且VDSVGS-VTH通道未夹断，源漏之间表现为受控电阻ID随VDS增大而增大饱和区

FET的端子性能参数输入阻抗栅极直流输入电阻：高达1TΩ(1012Ω)级别栅极交流输入阻抗：受栅极电容影响，高频下降低栅极漏电流：仅几nA量级，远小于BJT的基极电流其他关键参数跨导gm：表征栅源电压对漏极电流的控制能力输出电导gd：反映漏源电压对漏极电流的影响栅极电容Cg：影响高频特性和开关速度FET的超高输入阻抗是其最显著的特点之一，使其特别适合用于高阻抗信号源的前置放大，如生物电信号、传感器输出等应用场景。

场效应管放大电路简介共源放大电路源极接地，信号从栅极输入，从漏极输出电压增益高输入阻抗高输出阻抗中等有相位反转共漏放大电路（源跟随器）漏极接电源，信号从栅极输入，从源极输出电压增益接近1输入阻抗极高输出阻抗低无相位反转共栅放大电路栅极接地，信号从源极输入，从漏极输出电压增益中等输入阻抗低输出阻抗高无相位反转高频性能好

共源放大电路分析电路结构与参数共源放大电路是最常用的FET放大电路，具有以下特点：电压增益：Av≈-gm(RD//rd)，通常为负值，表示有180°相位反转输入阻抗：主要由栅极电阻RG决定，通常很高输出阻抗：近似等于漏极负载电阻RD与漏极动态电阻rd的并联值频率响应：主要受栅极电容CGS和米勒效应影响偏置稳定性：需通过源极电阻RS提供负反馈以改善温度稳定性共源电路中，输入信号经过栅极控制通道电流，在漏极负载上产生放大的电压信号。增益负号表示输出信号相对输入信号有180°相位反转。

共漏（源跟随器）放大电路电路特性与应用源跟随器是一种重要的电压跟随器电路，具有以下特点：电压增益：A