探秘低k氟化非晶碳材料：结构与介电性质的深度剖析.docx

探秘低k氟化非晶碳材料：结构与介电性质的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，集成电路作为电子设备的核心部件，其性能的提升对于推动整个电子信息产业的发展起着至关重要的作用。随着科技的飞速进步，人们对集成电路的性能要求不断提高，其中一个关键的发展趋势就是器件特征尺寸的持续减小以及芯片面积的不断增大。这一趋势使得布线密度必须相应增加，即需要增加金属线的层数并降低金属线的节距，以满足高速、高密度、多功能集成电路的需求。

然而，当器件尺寸（如晶体管的栅长）降低到0.25μm以下时，一系列问题随之而来。线电容，尤其是同层面上金属线间的电容（线间电容）显著增加，同时金属线变细导