模电第05章场效应管放大电路(康华光).pptxVIP

第五章

场效应管放大电路

(JFET部分)

重点：

1.掌握场效应管的工作原理、特性曲线；

2.学会判断场效应管的工作状态；

3.掌握场效应管放大电路(特别是结型场效应管

JFET放大电路)的分析方法。

2、符号

g

s

d

p+

p+

漏极d

源极s

栅极g

N

§5.3结型场效应管JFET

一.N沟道结型场效应管(N沟道JFET)

1、结构

——两个PN结夹着一个N型沟道。

3.N沟道JFET的放大原理(以共源极接法为例)

N沟道JFET共源极接法的接线：

+

vGS

-

g

s

d

+

vDS

-

ig

iD

+

VCC

-

RD

经实验证明:

(1)VPvGS≤0时,栅极电流ig≈0

vGS0:非工作区域,此时ig0

(2)当栅源电压vGS变化,漏源电压vDS=constant0时:

vGS≤VP(夹断电压,VP＜0):漏极电流iD=0

VPvGS≤0:vGS越大,iD越大——互导放大作用

(3)当漏源电压VDS变化,栅源电压VPvGS=constant0时:

0vDS(vGS-VP):vDS增大,iD线性越大

vDS(vGS-VP):vDS越大,iD恒定;且iD=IDSS(1-vGS/VP)2

4.N沟道JFET的内部微观原理

(1)当栅源电压vGS变化,漏源电压vDS≥0时

当vGS＜0时

当vGS≤VP时(固定参数)

沟道夹断

PN结反偏

耗尽层加厚

沟道变窄

当vGS0时

PN结正偏,耗尽层变薄

当vGS=0时

N沟道最宽

ig0,非工作区域

这时若vDS≥0,则iD≥0

同样的vDS情况iD

iD=0

(2)当栅源电压vGS=constant＞VP,漏源电压vDS变化时

由于vGS＞VP,所以导电沟道未夹断。

a.当vDS=0时,iD=0。

b.当vDS→iD→沟道产生电位梯度,靠近漏极d处的耗尽层加宽,沟道变窄,呈楔形分布。

c.当vDS再,使vDS=vGS-VP时,在靠漏极处夹断——预夹断。

即:预夹断前,vDS→iD;预夹断后,vDS→iD几乎不变。

d.当vDS再→预夹断点下移→夹断区延长→沟道电阻→iD基本不变

(3)由于VPvGS≤0时,g与d、s之间是两个反向偏置的二极管,所以栅极电流ig≈0。

5、N沟道结型场效应管的特性曲线

(1)转移特性曲线(iDvGS/vDS=constant)

夹断电压

VP

IDSS

ID/mA

VGS/V

1

2

3

4

-3–2–10

饱和漏极电流

IDSS、VP——结型和耗尽型MOS管的固定参数

注意：VP＜0,正常工作电压vGS≤0,栅极电流ig≈0

+

vGS

-

g

s

d

+

vDS

-

ig

iD

+

VCC

-

RD

——低频跨导,参数之一

曲线上某点的斜率：

(2)输出特性曲线(iDvDS/vGS=constant)

(漏极特性曲线)

VGS=-1V

VGS=-2V

VGS=VP

0

VDS/V

ID/mA

4

3

2

1

48121620

VGS=0

预夹断轨迹:

vDS=vGS-VP

可变电阻区

恒流区

截止区

+

vGS

-

g

s

d

+

vDS

-

ig

iD

+

VCC

-

RD

6.工作区域的特点及其工作区域判断

(1)截止区

判断：VGS＜VP

特点：iD＝0

这时场效应管D、S端相当于:

一个断开的开关。

VGS=-1V

VGS=-2V

VGS=VP

0

VDS/V

ID/mA

4

3

2

1

48121620

VGS=0

截止区

+

vGS

-

g

s

d

+

vDS

-

ig

iD

+

VCC

-

RD

(2)可变电阻区(线性区)

判断：vGS＞VP,vDS≤vGS-VP

特点:rds是一个受vGS控制的可变电阻

vGS越大,rds越小。

当VGS足够大(如:vGS＝0)时

场效应管D~S端相当于:

一个接通的开关。

VGS=-1V

VGS=-2V

VGS=VP

0

VDS/V

ID/mA

4

3

2

1

48121620

VGS=0

可变电阻区

+

vGS

-

g

s

d

+

vDS

-

ig

iD

+

VCC

-

RD

(3)恒流区(饱和区、放大区)

判断:VGS＞VP,vDS＞vGS-VP

特点:vDS