射频LDMOS器件：击穿电压特性与静电保护策略的深度剖析.docx

射频LDMOS器件：击穿电压特性与静电保护策略的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代通信技术飞速发展的时代，无线通信已成为人们生活中不可或缺的一部分。从智能手机到物联网设备，从5G基站到卫星通信系统，射频（RF）技术在各个领域的广泛应用，推动了通信行业的快速发展。射频LDMOS（LateralDouble-diffusedMetalOxideSemiconductor，横向双扩散金属氧化物半导体）作为射频功率放大器的核心器件，因其具备耐高压、增益大、动态范围宽、失真低以及易于与低压电路工艺兼容等显著优势，在通信领域中占据着举足轻重的地位。

在通信基站中，射频LDM