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氧化镓生长取向与形貌控制：原理、方法与应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

随着量子信息、人工智能等高新技术的飞速发展，半导体新体系及其微电子等多功能器件技术不断更新迭代。尽管前三代半导体技术持续进步，但在满足高性能与低成本的双重需求上，逐渐显得力不从心。在此背景下，第四代半导体凭借小体积、低功耗等优势，吸引了众多科研人员和产业界的目光。作为第四代半导体材料的代表之一，氧化镓（Ga_2O_3）以其独特的性能优势，在半导体领域中崭露头角，成为研究热点。

氧化镓是一种新型的宽禁带半导体材料，禁带宽度约为4.9eV（因晶体结构和取向等因素，禁带宽度会有所差异），相较于第三代半导体材料碳化硅（