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探秘GaN基材料：从能带结构解析到AlGaN/GaN界面电子输运洞察

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，GaN基材料作为第三代半导体材料的典型代表，凭借其独特的物理性质，如宽禁带、强极化效应、高临界场强、高载流子饱和速率和高热导率等，成为了当前半导体领域研究的热点之一。与第一代Ge、Si半导体材料以及第二代GaAs、InP化合物半导体材料相比，GaN基材料在光电子、高温大功率器件和高频微波器件等应用方面展现出了更为广阔的前景。

宽禁带特性使得GaN基材料能够承受更高的电压，在高温和强辐射环境下依然保持稳定的性能，这为其在大功率、高频以及恶劣环境下工作