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碳化硅单晶片残余应力测试光弹法标准立项报告

摘要

本报告旨在阐述制定碳化硅单晶片残余应力光弹法测试标准的目的意义、适用范围及主要技术内容。碳化硅作为新一代功率半导体关键材料，其质量直接影响下游应用性能。残余应力是导致晶片缺陷的核心因素之一，当前国内缺乏统一的量化测试标准。本项目通过建立光弹法无损检测技术规范，填补标准空白，提升我国碳化硅材料质量水平和产业竞争力，支撑半导体产业高质量发展。

要点列表

-战略重要性：碳化硅被列为国家十四五规划重点支持的宽禁带半导体材料，是5G、新能源等产业的核心基础。

-问题导向：残余应力易引发晶片形变、位错等缺陷，制约外延和器件良率，需标准化检测方法。

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