电子束蒸发制备石墨烯_锗异质结及其近红外光电特性的研究.pdfVIP

械柔性以及光学性质为柔性光电探测提供了新的可能性。本文基于石墨烯的高载

流子迁移率、极高的机械柔韧性等优异的光学、电学特性，锗材料在可见、近红

外光范围内的高响应，利用电子束蒸发结合后退火，完成石墨烯/锗异质结的高质

量制备。通过湿法转移工艺将整体异质结转移到柔性PET衬底上，形成柔性石

墨烯/锗异质结。实现石墨烯/锗异质结在可见-近红外光的柔性光电探测，并对其

可见-近红外光电特性进行了系统表征。主要工作如下：

1.使用电子束蒸发结合后退火工艺，成功制备了石墨烯/晶体锗异质结，当

沉积速率为3Å/s，沉积厚度100nm以及后退火温度为500℃，60min时，锗的

TO峰从260.2cm-1移动到298.1cm-1，由非晶向多晶转变，石墨烯/锗异质结质量

最佳；

2.对石墨烯/锗异质结进行了系统的光学表征。研究结果表明，单层石墨烯

的光吸收率为2.3%，石墨烯/锗异质结在700nm-900nm的光吸收率达到了85%，

经过退火后吸收率为75%，吸收峰发生轻微偏移，锗的光学带隙由0.62eV增加

到0.73eV；

3.通过湿法转移工艺结合PDMS/PMMA双支持膜专利技术将石墨烯/锗异

质结转移到柔性PET衬底上。拉曼光谱测试结果表明，转移前后石墨烯的G峰、

2D峰与锗的TO峰没有发生明显的偏移，异质结的转移是成功的；

4.对石墨烯/锗异质结的可见-近红外光电性能进行了研究。该异质结在暗态、

辐照状态表现出了典型的整流特性。650nm的激光辐照下，异质结±3V的开关

比为38.2，光响应度为0.38mA·W-1，探测率为9.5×104Jones，光电流的上升时

间为0.4s，下降时间为0.6s。经过多次测量，异质结对可见-近红外光展示出了

稳定的光响应。

关键字：石墨烯/锗异质结；电子束蒸发；光电特性；机械柔性

论文类型：基础研究

ABSTACT

-dimensionalmaterials.Grapheneduetoitsexcellent

caland

-infraredlightrange,thehigh-qualitypreparationofgraphene/Geheterojunctions

-annealing.

eheterojunction.Theflexible

tectionofgraphene/Geheterojunctioninvisible-near-infraredlightisrealized,

-near-infraredoptoelectronicpropertiesaresystematicallycharacterized.

Geheterojunctionwassuccessfullypreparedusingan

-annealingprocess.whenthedeposition

-annealingtemperature

movedfrom260.2cm-1to298.1cm-