薄膜制备技术溅射法.pptVIP

一、阴极溅射装置及特性工作原理：加上直流电压后，辉光放电开始，正离子打击靶面，靶材表面的中性原子溅射出，这些原子沉积在衬底上形成薄膜。在离子轰击靶材的同时，有大量二次电子从阴极靶发射出来，被电场加速向衬底运动，在运动过程中，与气体原子碰撞又产生更多的离子，更多的离子轰击靶材又释放出更多的电子，从而使辉光放电达到自持。第26页，共70页，星期日，2025年，2月5日一、阴极溅射装置及特性优点：结构简单，操作方便，可长时间进行溅射。缺点：阴极溅射辉光放电的离化率低，沉积速率低，只有80nm/min；靶材必须为金属，在非反应性气氛中不能制备绝缘介质材料；二次电子轰击，温度较高，使不能承受高温的衬底的应用受到限制，且对衬底造成损伤；工作气压高，对薄膜造成污染，影响沉积速率，降低工作气压易使辉光放电熄灭。第27页，共70页，星期日，2025年，2月5日二、三极溅射和四极溅射装置及特性在低压下，为增加离化率并保证放电自持，方法之一是提供一个额外的电子源将电子注入到放电系统中，这个独立的电子源就是热阴极，它通过热离子辐射形式发射电子。所谓三极指的是阴极、阳极和靶电极。四极溅射是在上述三极的基础上再加上辅助电极，也称为稳定电极，用以稳定辉光放电。沉积速率约2?m/min。第28页，共70页，星期日，2025年，2月5日三极溅射在低压下，为增加离化率并保证放电自持，方法之一是提供一个额外的电子源将电子注入到放电系统中。阳极电位高于基片三极溅射装置及特性第29页，共70页，星期日，2025年，2月5日二、三极溅射和四极溅射装置及特性优点：轰击靶材的离子电流和离子能量可以完全独立控制，而且在比较低的压力下也能维持放电，因此溅射条件的可变范围大；对衬底的辐射损伤小，可以避免衬底温升。缺点：装置结构复杂，难以获得覆盖面积大、密度均匀的等离子体，灯丝易消耗。除特殊用途外已不在使用。第30页，共70页，星期日，2025年，2月5日工作原理在射频溅射系统中，射频电势加在位于绝缘靶下面的金属电极上，在射频电场作用下，在两电极间振荡运动的电子具有足够高的能量产生离化碰撞，从而使放电达到自持，阴极溅射的二次电子不再重要。由于电子比离子具有较高的迁移率，相对于负半周期，正半周期内将有更多的电子到达绝缘靶表面，而靶变成负的自偏压。它将在表面附近排斥电子，吸引正离子，使离子轰击靶，产生溅射。三、射频溅射装置及特性第31页，共70页，星期日，2025年，2月5日三、射频溅射装置及特性第32页，共70页，星期日，2025年，2月5日三、射频溅射装置及特性第33页，共70页，星期日，2025年，2月5日三、射频溅射装置及特性若使衬底为正电位时到达衬底的电子数等于衬底为负电位时到达衬底的离子数，则靶材在绝大部分时间内呈负性，就是说相当于靶自动地加了一个负偏压Vb，于是靶材能在正离子轰击下进行溅射。高频交流电场使靶交替地由离子和电子进行轰击，电子在高频电场中的振荡增加了电离几率，因而射频溅射的溅射速率要高于阴极溅射。靶材可以是绝缘体、金属、半导体等。第34页，共70页，星期日，2025年，2月5日四、磁控溅射装置及特性为了在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射引入正交电磁场，使离化率提高到5%-6%，溅射速率提高十倍左右。磁控溅射的优点，：沉积速率大，产量高；功率效率高；可进行低能溅射；向衬底的入射能量低，溅射原子的离化率高等。第35页，共70页，星期日，2025年，2月5日四、磁控溅射装置及特性1直流电源2出水口3进水口4进气口5靶材6真空泵7基片架8基片偏压第36页，共70页，星期日，2025年，2月5日四、磁控溅射装置及特性

磁场的作用使电子不再做平行直线运动，而是围绕磁力线做螺旋运动，这就意味着电子的运动路径由于磁场的作用而大幅度地增加，从而有效地提高了气体的离化效率和薄膜的沉积速率。第37页，共70页，星期日，2025年，2月5日四、磁控溅射装置及特性

磁控溅射比直流和射频溅射的沉积速率高很多。原因：（1）磁场中电子的电离效率提高，离化率提高到5%-6%，溅射速率可提高十倍左右。（2）在较低气压下（0.1Pa)溅射原子被散射的几率减小，提高了入射到衬底上的原子的能量，从而提高薄膜的质量。第38页，共70页，星期日，2025年，2月5日四、磁控溅射装置及特性

第39页，共70页，星期日，2025年，2