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氧化锌氮化镓异质结构：水热生长机制与物性关联的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，氧化锌（ZnO）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表，凭借其独特的物理性质和广泛的应用前景，成为了研究的焦点。

氧化锌是一种重要的宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV。它具有良好的化学稳定性、热稳定性以及优异的光电性能，如高电子迁移率、高发光效率等。在光电器件领域，氧化锌可用于制造发光二极管（LED）、激光二极管（LD）等，其发出的紫外光在杀菌消毒、生物医疗等方面有着重要应用。同时，在传感器领域，氧化锌对多种气体具有敏感特