模拟电子线路第三章.ppt

解：画直流通路。估算法：由电流方程和栅源直流负载线方程联立成方程组求解，即可得工作点。R1R2R3RDRS20V因为iG=0，所以：*第61页，共93页，星期日，2025年，2月5日输入回路满足：R1R2R3RDRS10k20V同时在放大区满足：*第62页，共93页，星期日，2025年，2月5日联立上述两方程，得到：ID1=0.61mA，ID2=1.64mA将ID1=0.61，ID2=1.64mA代入（1）式，分别得到UGS1=-1.1V，UGS2=-11.4V——（1）——（2）因为UGS2UGSoff，所以ID2舍去。*第63页，共93页，星期日，2025年，2月5日R1R2R3RDRS10k20V则：UDSQ=20-0.61×(10+10)=7.8V。因此：IDQ=0.61mAUGSQ=-1.1V*第64页，共93页，星期日，2025年，2月5日RDUDDRSuiRGV(a)问题：对于自偏压式，如何联立方程？*第65页，共93页，星期日，2025年，2月5日图3―15图解法求直流工作点(a)自偏压方式；(b)混合偏置方式图解法*第66页，共93页，星期日，2025年，2月5日*第29页，共93页，星期日，2025年，2月5日BN＋导电沟道P型衬底UGSN＋三、uDS对沟道导电能力的控制（转移特性）*第30页，共93页，星期日，2025年，2月5日图3―9uDS增大，沟道被局部夹断(预夹断)情况*第31页，共93页，星期日，2025年，2月5日iD0uDSUGS＝6V截止区4V3V2V5V可变电阻区(a)恒流区区穿击图3―8输出特性*第32页，共93页，星期日，2025年，2月5日(1)截止区：uGS≤UGSth，导电沟道未形成，iD=0。(2)恒流区·曲线间隔均匀，uGS对iD控制能力强。·uDS对iD的控制能力弱，曲线平坦。·进入恒流区的条件，即预夹断条件为即：|uGD|UGSth*第33页，共93页，星期日，2025年，2月5日(b)厄尔利电压uDSiD0UGSUA(厄尔利电压)沟道调制系数λ：厄尔利电压UA的倒数，曲线越平坦→|UA|越大→λ越小。*第34页，共93页，星期日，2025年，2月5日考虑uDS对iD的微弱影响后恒流区的电流方程为：但λ1，则：*第35页，共93页，星期日，2025年，2月5日可变电阻区：*第36页，共93页，星期日，2025年，2月5日3―2―3N沟道耗尽型MOSFET

(DepletionNMOSFET)特点：在uGS=0时，就存在导电沟道（称原始导电沟道）。只要uDS0就有iD电流，且uGS↑→iD↑；当uGS减小为负值时，iD↓；当uGS=UGSoff时，iD=0，管子进入截止状态。*第37页，共93页，星期日，2025年，2月5日图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号*第38页，共93页，星期日，2025年，2月5日图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号(c)DGSB*第39页，共93页，星期日，2025年，2月5日式中：ID0表示uGS=0时所对应的漏极电流。*第40页，共93页，星期日，2025年，2月5日图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号*第41页，共93页，星期日，2025年，2月5日3―2―4各种类型MOS管的符号及特性对比DGSDGSN沟道P沟道结型FET图3―11各种场效应管的符号对比*第42页，共93页，星期日，2025年，2月5日图3―11各种场效应管的符号对比*第43页，共93页，星期日，2025年，2月5日*第44页，共93页，星期日，2025年，2月5日图3―12各种场效应管的转移特性和输出特性对比(a)转移特性；(b)输出特性uDSiD0线性可变电阻区01234560123－1－2－3－3－4－5－6－7－8－9结型P沟耗尽型MOSP沟－3－4－5