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钛酸铋钙陶瓷织构化与稀土掺杂改性：微观结构与性能调控的深度探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今材料科学的研究领域中，无铅压电陶瓷作为一类关键的功能材料，正受到全球范围内的广泛关注。随着现代工业和科技的迅猛发展，对压电陶瓷材料的需求日益增长，同时，环保意识的不断增强促使人们对传统含铅压电陶瓷的使用进行深刻反思。传统的锆钛酸铅（PZT）基压电陶瓷，虽凭借其优异的压电性能在电子点火器、压力传感器等诸多领域实现了大规模工业化应用，占据着市场主导地位，但其主要成分PbO在制备、使用及废弃处理过程中易挥发且有毒，会不可避免地造成严重的铅污染问题，这与当下环境保护和可持续发展的理念背道而驰。在此背景下，开发环境友好型的无铅压电陶瓷，成为了解决“既要无毒又要高性能”这一难题的关键突破口，也成为了材料科学领域的重要研究趋势和攻坚课题。

在众多无铅压电陶瓷体系中，钛酸铋钙（CaBi?Ti?O??，简称CBT）陶瓷以其独特的优势脱颖而出，成为研究的热点之一。CBT陶瓷属于铋层状结构化合物，是m=4的铋层状结构铁电体，具有高达790℃左右的居里温度，展现出良好的热稳定性、抗疲劳性以及较低的介电损耗。这些优异特性使CBT陶瓷成为高温压电和铁电应用领域，如传感器、滤波器或振荡器等的极具潜力的候选材料。然而，CBT陶瓷也存在一些固有缺陷，严重限制了其进一步的应用和发展。例如，其压电常数较低（d??=7.5pc/N），这使得它在需要高效机电转换的应用场景中表现欠佳；高温电阻率低（7×10?ω?cm@600℃），这可能导致在高温环境下使用时出现漏电等问题，影响器件的性能和稳定性。

为了克服CBT陶瓷的这些不足，提升其综合性能，织构化和稀土掺杂改性成为了重要的研究方向。织构化是指通过特定的工艺手段，使陶瓷内部的晶粒在某一方向上呈现出择优取向的排列方式。这种有序的微观结构能够显著改善陶瓷的性能，因为在织构化的陶瓷中，晶粒的取向更加一致，有利于电畴的有序排列和运动，从而提高压电性能。稀土元素由于其独特的电子结构，具有丰富的能级和较强的配位能力。在CBT陶瓷中引入稀土掺杂，能够通过离子半径匹配、电荷补偿等机制，对陶瓷的晶体结构和电子结构进行有效调控。这不仅可以优化陶瓷的电学性能，如提高压电常数和高温电阻率，还能改善其其他性能，如热稳定性和机械性能等。因此，研究CBT陶瓷的织构化和稀土掺杂改性，对于推动无铅压电陶瓷的发展，满足现代工业对高性能压电材料的需求，具有重要的科学意义和实际应用价值。

1.2国内外研究现状

国外在无铅压电陶瓷领域的研究起步较早，对钛酸铋钙陶瓷的织构化和稀土掺杂改性研究也取得了一定成果。在织构化方面，一些研究团队采用模板晶粒生长（TGG）法，通过精心选择合适的模板晶粒，并严格控制其生长条件，成功制备出了具有高度c轴取向的CBT织构陶瓷。这些织构陶瓷在某些性能上相较于传统的随机取向陶瓷有了明显提升，例如在特定方向上的压电性能得到了显著增强。在稀土掺杂改性研究中，国外学者通过在CBT陶瓷的A位或B位引入不同的稀土离子，系统地研究了稀土离子对陶瓷晶体结构、电学性能以及微观结构的影响。研究发现，稀土离子的掺杂能够有效地调节陶瓷的晶格常数，改变电畴结构，进而对压电常数、介电常数等性能产生影响。

国内在该领域的研究也紧跟国际步伐，并且在一些方面取得了独特的进展。在织构化研究中，除了对TGG法进行深入优化和改进外，还探索了一些新的制备工艺，如电场辅助取向技术。通过在陶瓷制备过程中施加外部电场，诱导晶粒在电场方向上取向排列，从而实现陶瓷的织构化。这种方法不仅为织构陶瓷的制备提供了新的思路，而且在一定程度上提高了制备效率和取向度。在稀土掺杂改性方面，国内研究人员开展了大量的实验和理论计算工作。通过对多种稀土元素的单独掺杂和复合掺杂研究，详细分析了掺杂浓度、掺杂位置与陶瓷性能之间的关系，揭示了一些新的改性机制。

尽管国内外在钛酸铋钙陶瓷的织构化和稀土掺杂改性研究方面已经取得了不少成果，但仍然存在一些不足与空白。目前对于织构化和稀土掺杂改性的协同效应研究还相对较少，未能充分发挥两者的优势，实现陶瓷性能的最大化提升。对于织构化过程中模板晶粒与基体之间的界面结合机制以及稀土掺杂对界面性能的影响，研究还不够深入，这限制了对陶瓷微观结构与宏观性能关系的全面理解。此外，在实际应用方面，如何将实验室制备的高性能CBT陶瓷转化为实用的器件，还面临着诸多挑战，如制备工艺的规模化、成本控制以及器件的可靠性等问题。

1.3研究内容与方法

本研究旨在深入探究钛酸铋钙陶瓷的织构化与稀土掺杂改性，以提升其综合性能，主要研究内容包括：采用模板晶粒生长法，通过优化模板晶粒的选择与制备工艺、调整烧结条件等，制