存储器原理与接口.ppt

第29页，共52页，星期日，2025年，2月5日一、8086CPU的管脚及功能8086是16位CPU。它采用高性能的N—沟道，耗尽型负载的硅栅工艺(HMOS)制造。由于受当时制造工艺的限制，部分管脚采用了分时复用的方式，构成了40条管脚的双列直插式封装5.3、8086CPU总线产生第30页，共52页，星期日，2025年，2月5日第31页，共52页，星期日，2025年，2月5日二、8086的两种工作方式最小模式：系统中只有8086一个处理器，所有的控 制信号都是由8086CPU产生。最大模式：系统中可包含一个以上的处理器，比如 包含协处理器8087。在系统规模比较大 的情况下，系统控制信号不是由8086直 接产生，而是通过与8086配套的总线控 制器等形成。第32页，共52页，星期日，2025年，2月5日三、最小模式下8086CPU总线产生（一）、地址线、数据线产生 相关信号线及芯片1、AD15～AD0(AddressDataBus)地址/数据复用信号，双向，三态。在T1状态（地址周期）AD15～AD0上为地址信号的低 16位A15～A0；在T2～T4状态（数据周期）AD15～AD0上是数据信号D15～D0。第33页，共52页，星期日，2025年，2月5日2、A19/S6～A16/S3(Address/Status)：地址/状态复用信号，输出。在总周期的T1状态A19/S6～A16/S3上是地址的高4位。在T2～T4状态，A19/S6～A16/S3上输出状态信息。第34页，共52页，星期日，2025年，2月5日机器周期：时钟周期总线周期：对内存或对I/O接口的一次操作的时 间指令周期：指令执行的时间第35页，共52页，星期日，2025年，2月5日MOV[2000H],AX地址周期数据周期第36页，共52页，星期日，2025年，2月5日S4S3当前正在使用的段寄存器00ES01SS10CS或未使用任何段寄存器11DS第37页，共52页，星期日，2025年，2月5日3、三态缓冲的8位数据锁存器74LS373(8282)第38页，共52页，星期日，2025年，2月5日第39页，共52页，星期日，2025年，2月5日A、CP正脉冲，D?QB、CP为零，保持C、/OE=0，O0输出；否则高阻第40页，共52页，星期日，2025年，2月5日存储器原理与接口第1页，共52页，星期日，2025年，2月5日5.1存储器分类一、有关存储器几种分类存储介质分类半导体存储器磁盘和磁带等磁表面存储器光电存储器第2页，共52页，星期日，2025年，2月5日按存取方式分类随机存储器RAM(RandomAccessMemory)只读存储器ROM（Read-OnlyMemory）串行访问存储器(SerialAccessStorage)第3页，共52页，星期日，2025年，2月5日按在计算机中的作用分类主存储器(内存)辅助存储器(外存)高速缓冲存储器第4页，共52页，星期日，2025年，2月5日二、半导体存储器的分类1、随机存取存储器RAM2、只读存储器ROM第5页，共52页，星期日，2025年，2月5日二、半导体存储器的分类1、随机存取存储器RAMa.静态RAM（ECL，TTL，MOS）b.动态RAM第6页，共52页，星期日，2025年，2月5日2、只读存储器ROMa.掩膜式ROMb.可编程的PROMc.可用紫外线擦除、可编程的EPROMd.可用电擦除、可编程的E2PROM等第7页，共52页，星期日，2025年，2月5日绝缘层浮动栅雪崩注入式MOS管可用紫外线擦除、可编程的EPROM第8页，共52页，星期日，2025年，2月5日编程使栅极带电擦除EPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口当一定光强的紫外线透过窗口照射时，所有存储电路中浮栅上的电荷会形成光电流泄放掉，使浮栅恢复初态。一般照射20～30分钟后，读出各单元的内容均为FFH，说明EPROM中内容已被擦除。第9页，共52页，星期日，2025年，2月5日浮栅隧道氧化层MOS管Flotox(Floatinggat