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基于第一性原理：SiC与AlN一维材料电子谱及光学性质深度剖析.docx

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    基于第一性原理：SiC与AlN一维材料电子谱及光学性质深度剖析

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在材料科学与凝聚态物理的前沿探索中，SiC和AlN一维材料凭借其独特的结构与卓越的物理化学性能，占据着举足轻重的地位，成为科研领域的焦点。

    SiC材料的发展历程久远且成果丰硕。自1824年瑞典科学家Berzelius在人工合成金刚石时首次观察到SiC，1885年Acheson成功生长出SiC晶体并发现其硬度大、熔点高等特性，随后在1907年英国电子工程师Round制造出第一支SiC的电致发光二极管，再到1959年Lely发明升华法生长高质量单晶体，

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