P型GaN基材料缺陷的光学性质剖析与电子阻挡层结构的优化策略.docx

P型GaN基材料缺陷的光学性质剖析与电子阻挡层结构的优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体材料在光电器件领域的应用愈发广泛，其中氮化镓（GaN）基材料作为第三代半导体材料的代表，凭借其出色的性能，如宽禁带（室温下约为3.39eV）、高电子饱和迁移率、高热导率、化学性质稳定以及耐高温等特性，成为了研究的热点。在众多光电器件中，发光二极管（LED）、半导体激光器（LD）和光探测器（PD）等都依赖于高质量的GaN基材料。

P型GaN基材料在这些光电器件中起着关键作用。以LED为例，P型GaN作为与N型GaN形成PN结的重要组成部分，其