热蒸发法：碳化硅纳米晶须合成与多维度表征探究.docx

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2025-10-11 发布于上海
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热蒸发法：碳化硅纳米晶须合成与多维度表征探究.docx

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热蒸发法：碳化硅纳米晶须合成与多维度表征探究

一、绪论

1.1研究背景与意义

碳化硅（SiC）作为第三代宽带隙半导体材料的典型代表，具备宽带隙、高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度等一系列优异特性，在半导体领域有着举足轻重的地位。其宽带隙特性使得碳化硅器件能够在高温、高压环境下稳定工作，有效降低了器件的功耗，提高了能源利用效率。高临界击穿电压和高载流子饱和漂移速度的优势，使得碳化硅适用于制造高速、高频的电子器件，在5G通信、新能源汽车、智能电网等领域展现出巨大的应用潜力。在5G基站的射频器件中，碳化硅材料能够实现更高的功率密度和频率响应，提升通信质量和覆盖范围；在新能源汽