电子电路课件：第三章场效应管.pptVIP

3.2结型场效应管;概述;1.???场效应管放大器(FET)

;3.1MOS场效应管;N;N沟道EMOS管外部工作条件;N沟道EMOSFET沟道形成原理;VDS对沟道的控制（假设VGSVGS(th)且保持不变）;当VDS增加到使VGD?=VGS(th)时→A点出现预夹断;若考虑沟道长度调制效应;MOS管仅依靠一种载流子（多子）导电，故称单极型器件。;由于MOS管栅极电流为零，故不讨论输入特性曲线。;NEMOS管输出特性曲线;数学模型：;饱和区;数学模型：;截止区;由于MOS管COX很小，因此当带电物体（或人）靠近金属栅极时，感生电荷在SiO2绝缘层中将产生很大的电压VGS(=Q/COX)，使绝缘层击穿，造成MOS管永久性损坏。;NEMOS管转移特性曲线;衬底效应;P沟道EMOS管;3.1.2耗尽型MOS场效应管;NDMOS管伏安特性;3.1.3四种MOS场效应管比较;饱和区（放大区）外加电压极性及数学模型;临界饱和工作条件;FET直流简化电路模型(与三极管相对照);3.1.4小信号电路模型;MOS管跨导;计及衬底效应的MOS管简化电路模型;MOS管高频小信号电路模型;场效应管电路分析方法与三极管电路分析方法相似，可以采用估算法分析电路直流工作点；采用小信号等效电路法分析电路动态指标。;MOS管截止模式判断方法;例1已知?nCOXW/(2l)=0.25mA/V2，VGS(th)=2V,求ID;小信号等效电路法;3.2结型场效应管;N沟道JFET管外部工作条件;VGS对沟道宽度的影响;VDS很小时→VGD?VGS;当VDS增加到使VGD?=VGS(off)时→A点出现预夹断;利用半导体内的电场效应，通过栅源电压VGS的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的宽窄，控制漏极电流ID。;NJFET输出特性;饱和区(放大区);截止区;JFET转移特性曲线;JFET电路模型同MOS管相同。只是由于两种管子在饱和区数学模型不同，因此，跨导计算公式不同。;各类FET管VDS、VGS极性比较;1.2.3?????各种场效应管的特性比较及使用注意事项

;场效应管与三极管性能比较;;??????????3????主要参数

;;gm是表征场效应管放大能力的重要参数，单位为mA/V=ms，其值一般为十分之几~几mS(比三极管小一个数量级)。对式(3.1.3)微分，可得

(3.1.6)

式中(3.1.7)

为VGS=0时的跨导。

;;(7)??????输出电阻rd

定义为

类似于三极管的rce，其值一般在几十到几百K。

(8)??????最大耗散功率PDM

定义为

PDM受最高工作温度限制。

;2、使用注意事项

;??????3、三极管和场效应管的比较

;(3)场效应管的源极和漏极在结构上对称，可以互换使用(但应注意，有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接，使用时就不能互换)。对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零，使用时比较灵活。三极管的集电极和发射极不能互换使用。

(4)在低电压小电流状态旧工作时，FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关。

(5)MOS管工艺简单，功耗小，适合于大规模集成。三极管的增益高，非线性失真小，性能稳定。在分立元件电路和中、小规模集成电路中，三极管仍占优势。

;项目名称;N沟道EMOS管GD相连?构成有源电阻;N沟道DMOS管GS相连?构成有源电阻;谢谢大家！