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脉冲激光沉积类金刚石薄膜：工艺参数的影响机制与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

类金刚石薄膜（Diamond-LikeCarbon，DLC）是一种以sp3和sp2键的形式结合生成的亚稳态材料，兼具了金刚石和石墨的优良特性。其碳原子间以共价键相连，主要包含sp2和sp3两种杂化键，在含氢的DLC膜中还存在一定数量的C-H键。由于独特的结构，类金刚石薄膜具备一系列优异性能。在力学方面，它拥有高硬度，维氏硬度可达20-80GPa，高耐磨性，能有效抵抗机械磨损，延长材料使用寿命。在光学领域，具有良好的光学透明性，在特定波段的透过率较高，且折射率可调控；电学性能上，呈现高电阻率，可作为绝缘材料使用。此外，它还具备化学惰性，在多种化学环境下表现稳定。

这些优良特性使得类金刚石薄膜在众多领域得到广泛应用。在机械领域，可作为刀具、模具的涂层，显著提高其耐磨性和使用寿命，例如在金属切削刀具上沉积类金刚石薄膜，能降低刀具磨损，提高加工精度和效率；在电子领域，用作电子器件的保护涂层，可提高器件的稳定性和可靠性，像在半导体芯片表面沉积类金刚石薄膜，能保护芯片免受外界环境影响；在光学领域，可制备光学窗口的增透保护膜层，利用其宽波段透过率和强耐冲击腐蚀特性，保护光学元件，提高光学系统性能；在生物医学领域，由于其良好的生物相容性，可用于生物传感器、药物载体等生物医学器件的制备。

脉冲激光沉积（PulsedLaserDeposition，PLD）技术是制备类金刚石薄膜的重要方法之一。该技术利用高能激光脉冲聚焦于靶材，使靶材表面迅速升温蒸发，产生等离子体，这些等离子体在基底表面沉积并反应，从而形成薄膜。PLD技术具有诸多优势，它能对化学成分复杂的复合物材料进行全等同镀膜，易于保证镀膜后化学计量比的稳定，确保薄膜成分与靶材一致；反应迅速，生长速度快，通常一小时可获得约1μm的薄膜；定向性强、薄膜分辨率高，能实现微区沉积，满足特殊的制备需求；生长过程中可原位引入多种气体，通过调节气体种类和流量，有效调控薄膜的质量和性能；易制备多层膜和异质膜，通过简单换靶即可实现，这为制备具有特殊结构和功能的薄膜提供了便利；靶材无需加热即可制备，等离子能量高，离子能量可达1000eV左右，如此高的能量可降低膜所需的衬底温度，便于在较低温度下原位生长取向一致的结构和外延单晶膜；高真空环境对薄膜污染少，可制成高纯薄膜，且羽辉只在局部区域运输蒸发，对沉积腔污染少；可制膜种类多，几乎所有材料都可用PLD制膜，除非材料对所用激光透明。

然而，在利用脉冲激光沉积技术制备类金刚石薄膜时，工艺参数对薄膜的质量和性能有着显著影响。激光的波长、功率、频率以及脉冲持续时间等参数，会改变激光与靶材相互作用的过程，影响等离子体的产生和特性，进而决定薄膜的结构和性能。沉积过程中的真空度、基底温度、气体氛围等工艺条件，也会对薄膜的生长和质量产生重要作用。研究工艺参数对脉冲激光沉积类金刚石薄膜的影响，有助于深入理解薄膜的生长机制，为优化制备工艺提供理论依据。通过精确控制工艺参数，能够制备出高质量、性能优异的类金刚石薄膜，满足不同领域对薄膜性能的严格要求，从而进一步拓展类金刚石薄膜的应用范围，推动相关产业的发展。因此，开展此项研究具有重要的理论意义和实际应用价值。

1.2国内外研究现状

国外在脉冲激光沉积类金刚石薄膜工艺参数研究方面起步较早，取得了丰硕的成果。早在1985年，Nagel等人最先报道用激光烧蚀淀积方法制备类金刚石薄膜，此后，众多科研团队围绕工艺参数展开深入研究。在激光参数方面，研究发现激光波长会影响薄膜的微观结构和性能。如使用短波长激光时，制备类金刚石特性的薄膜存在较低的激光功率密度阈值，对成膜有利。激光功率密度也至关重要，当功率密度过低时，靶材蒸发不充分，导致薄膜生长速率慢、质量差；而功率密度过高，会使等离子体能量过高，可能造成薄膜内部缺陷增多。激光脉冲频率的变化会改变单位时间内到达基底的粒子数量，进而影响薄膜的生长速率和组织结构。

在沉积环境参数方面，真空度对薄膜质量有显著影响。较高的真空度能减少杂质气体的混入，有利于制备高质量的类金刚石薄膜；若真空度不足，杂质会掺入薄膜，降低薄膜的性能。基底温度同样不容忽视，适当提高基底温度，有助于碳原子在基底表面的迁移和扩散，促进薄膜的结晶，提高薄膜的质量和附着力；但过高的基底温度可能导致薄膜中氢的逸出，使薄膜结构发生变化，性能下降。

国内对脉冲激光沉积类金刚石薄膜工艺参数的研究虽然起步相对较晚，但发展迅速。许多科研机构和高校积极投入研究，在工艺参数优化和薄膜性能提升方面取得了一定的进展。研究人员通过实验和理论分析，深入探讨了工艺参数