半导体物理器件 .ppt

4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性二、电流－电压特性(理查森－杜师曼（Richardson-dushman）方程)其中（4-28）（4-29）（4-30）的单位为，其数值依赖于有效质量，对于N型硅和P型硅，分别为110和32；对于N型和P型GaAs，分别为8和74。称为有效理查森常数，它是在电子向真空中发射时的里查森常数中，用半导体电子的有效质量代替自由电子质量而得到的。代入有关常数，最后得到第29页，共52页，星期日，2025年，2月5日4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性二、电流－电压特性(理查森－杜师曼（Richardson-dushman）方程)当肖特基势垒被施加反向偏压时，将（4-24）式中的换成即可得到反向偏压下M-S的电流—电压关系。于是，金属－半导体结在正反两种偏压下的电流—电压关系可以统一用下式表示（4-31）（4-32）称为理想化因子，它是由非理想效应引起的。对于理想的肖特基势垒二极管，两种肖特基二极管的实验特性示于图4-7中。第30页，共52页，星期日，2025年，2月5日4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性二、电流－电压特性(理查森－杜师曼（Richardson-dushman）方程)图4.7和肖特基二极管正向电流密度与电压的对应关系第31页，共52页，星期日，2025年，2月5日4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性二、电流－电压特性(理查森－杜师曼（Richardson-dushman）方程)使正向I-V曲线延伸至，可以求出参数，可以用它和（4-28）式一起来求出势垒高度。理想化因子对于Si二极管得到，GaAs二极管。可见（4-27）式较好地适用于Si、Ge和GaAs等常用半导体材料作成的肖特基势垒。以上分析说明，肖特基势垒电流基本上是由多子传导的，是一种多子器件。值得指出的是，根据式（4-28），反向电流应为常数，这与实验数据出现偏差。其原因之一是4.3节中所指出的镜像力作用。把换成，则饱和电流改为第32页，共52页，星期日，2025年，2月5日4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性三、少数载流子电流空穴从金属注入到半导体中形成电流。这个电流实际上是半导体价带顶附近的电子流向金属费米能级以下的空状态而形成的。（4-34）（4-35）其中在像硅这样的共价键半导体中要比小的多，结果是热离子发射电流通常远远大于少数载流子电流第33页，共52页，星期日，2025年，2月5日4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性例：一个肖特基势垒二极管，，计算势垒高度和耗尽层宽度。比较多数载流子电流和少数载流子电流，假设解：由图4-7求得。由方程（4-28）于是第34页，共52页，星期日，2025年，2月5日4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性例：一个肖特基势垒二极管，，计算势垒高度和耗尽层宽度。比较多数载流子电流和少数载流子电流，假设解：时，耗尽层宽度为设，则因此：第35页，共52页，星期日，2025年，2月5日4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性●学习要求掌握概念：表面势、热电子、热载流子二极管、里查森常数、有效里查森常数导出表面空间电荷区内载流子浓度表达式和半导体表面载流子浓度表达式：（4-17）、（4-18）、（4-19）、（4-20）理解电流－电压特性〔李查德－杜师曼（Richardson-dushman）方程〕（4-31）、（4-32）结合例题，比较少子空穴电流与多子电流。第36页，共52页，星期日，2025年，2月5日4.5肖特基势垒二极管的结构图4-8实用的肖特基二极管结构：（a）简单接触，（b）采用金属搭接，（C）采用保护环二极管。第37页，共52页，星期日，2025年，2月5日金属-半导体结第1页，共52页，星期日，2025年，2月5日引言金属-半导体结器件是应用于电子学的最古老的固态器件。金属—半导体形成的冶金学接触叫做金属-半导体结（M-S结）或金属-半导体接触。把须状的金属触针压在半导体晶体上或者在高真空下向半导体表面上蒸镀大面积的金属薄膜都可以实现金属-半导体结，前者称为点接触，后者则相对地叫做面接触。金属-半导体接触出现两个最重要的效应：其一是整流效应，其二是欧姆效应。前者