半导体物理前言 .pptVIP

Si单晶8英寸（200mm）已实现大规模工业生产12英寸（300mm）2005年全球16个工厂18英寸2007年可投入生产27英寸研制正在积极筹划第28页，共39页，星期日，2025年，2月5日第1页，共39页，星期日，2025年，2月5日●半导体的晶体结构和电子状态●杂质和缺陷能级●载流子的散射及电导问题●载流子的统计分布本课程主要内容(1)●非平衡载流子的产生、复合及运动规律第2页，共39页，星期日，2025年，2月5日本课程主要内容(2)●半导体的表面和界面（pn结、金属与半导体接触、半导体表面与MIS结构、半导体异质结构）●半导体的光、热、磁、压阻等物理现象●非晶半导体第3页，共39页，星期日，2025年，2月5日主要中文参考书●刘恩科：半导体物理学●田敬民：半导体物理问题与习题●钱佑华、徐至中：半导体物理●夏建白：现代半导体物理●夏建白：半导体超晶格物理●许振嘉：近代半导体材料的表面科学基础●方俊鑫：固态物理学●贺德衍译：半导体材料物理基础第4页，共39页，星期日，2025年，2月5日主要英文参考书●PYYu:FundamentalsofSemiconductorPhysics:PhysicsandMaterialsProperties●RobertF.Pierret:SemiconductorDeviceFundamentals(Part1)●M.Balkanski:SemiconductorPhysicsandApplications●SWang:FundamentalsofSemiconductorTheoryandDevicePhysics第5页，共39页，星期日，2025年，2月5日前言●什么是半导体●半导体的分类●半导体的地位●半导体的发展第6页，共39页，星期日，2025年，2月5日一、什么是半导体？固体材料可分成：超导体、导体、半导体、绝缘体从导电性（电阻）：电阻率ρ介于导体和绝缘体之间，并且具有负的电阻温度系数→半导体第7页，共39页，星期日，2025年，2月5日●电阻率绝缘体：ρ＞109Ωcm半导体：10-2Ωcm＜ρ＜109ΩcmρGe=0.2Ωcm导体：ρ＜10-3Ωcm例如：ρCu~10-6Ωcm第8页，共39页，星期日，2025年，2月5日TR半导体金属绝缘体●电阻温度系数第9页，共39页，星期日，2025年，2月5日●电子激发能隙导体：Eg~0例如：Eg(Cu)~0eV绝缘体：Eg?3eV例如：Eg(SiO2)=8.0eV半导体：0?Eg?3eV例如：Eg(Si)=1.12eV第10页，共39页，星期日，2025年，2月5日例外●半导体金刚石(Eg~6eV)●氮化镓GaN(Eg~3.5eV)●硫化锌ZnS(Eg~3.5eV)第11页，共39页，星期日，2025年，2月5日二、半导体材料的分类按功能和应用分微电子半导体光电半导体热电半导体微波半导体气敏半导体∶∶第12页，共39页，星期日，2025年，2月5日按组成分：无机半导体：元素、化合物有机半导体按结构分:晶体：单晶体、多晶体非晶、无定形第13页，共39页，星期日，2025年，2月5日1.无机半导体晶体材料无机半导体晶体材料元素半导体化合物半导体固溶体半导体第14页，共39页，星期日，2025年，2月5日GeSeSiCBTePSbAs元素半导体SISn熔点太高、不易制成单晶不稳定、易挥发低温某种固相稀少(1)元素半导体晶体第15页，共39页，星期日，2025年，2月5日化合物半导体Ⅲ-Ⅴ族Ⅱ-Ⅵ族金属氧化物Ⅳ-Ⅵ族Ⅴ-Ⅵ族Ⅳ-Ⅳ族InP、GaP、GaAs、InSb、InAsCdS、CdTe、CdSe、ZnSSiCGeS、SnTe、GeSe、PbS、PbTeAsSe3、AsTe3、AsS3、Sb